The Effect of Preparation Conditions on Optical Transmittance of Sn‐doped In2O3 Thin Films

Snを添加したIn2O3薄膜を電子ビーム法を用いて作製し、基板温度や蒸着時の酸素導入の有無などの条件が透過率に及ぼす影響を調べた。蒸着時の酸素導入の有無に拘わらず、基板温度が高いほど透過率は高く、実験では450℃で最も高い透過率が得られた。また、酸素導入の影響は非常に顕著で、酸素を導入することにより、透過率は酸素導入無しに比べて10%以上改善された。基板温度が450℃の時に酸素を導入すると93%の透過率が得られ、十分に実用的な薄膜が得られた。添加するSnの重量比も透過率に影響を及ぼし、酸素を導入しない場合は、Sn重量比が増加するにつれて透過率は向上するが、酸素を導入するとSnの量は透過率にあまり影響をもたらさないことが分かった。Highly conductive and transparent films of Sn-doped In203 thin films were prepared on a quartz glass by the electron beam evaporation method. The effect of preparation conditions on the optical properties of the films was investigated by measuring transparency. Optical properties of the deposited In203 thin films were largely dependent on various conditions ,such as an 02 partial pressure, substrate temperatures and the amount of dopant. In our study, it was cleared that the introduction of 02 gas in a evaporation has a very good effect on the increase of transparency, and the films with Sn of 5. wt. % prepared at a substrate temperature of 4500C produces the highest value of 93 %