THE TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON

On peut, en principe, lier le contraste des images obtenues par EBIC de défauts étendus dans les semiconducteurs à la section de capture pour les porteurs minoritaires et donc au comportement précis en recombinaison de défauts individuels. La mesure du contraste en EBIC en fonction de la température et de la concentration en impuretés est donc proposée comme méthode pour obtenir les positions des niveaux énergétiques associés à des dislocations individuelles bien caractérisées. Quelques résultats d'une telle étude sont présentés en vue de démontrer que les interprétations théoriques actuelles du contraste sont incapables de décrire correctement la variation observée du contraste en fonction de la température. Des modifications qui pourraient permettre aux traitements théoriques de mieux décrire les résultats expérimentaux sont suggérées.The EBIC contrast from extended defects in semiconductors can, in principle, be related to the defect capture cross-section for minority carriers and hence to the details of the recombination behaviour of individual defects. The monitoring of EBIC contrast as a function of temperature and dopant concentration is proposed as a possible method for deducing the positions of energy levels associated with well-characterised, individual dislocations. Some results of such an investigation are presented to show that current theoretical interpretations of the EBIC contrast are unable to describe correctly the observed temperature - dependent properties of the contrast. Possible modifications, which may enable theoretical treatments to describe better the experimental results, are suggested