科研費報告書収録論文(課題番号:13558026・基盤研究(B)(2)・13～16/研究代表者:羽生, 貴弘/転送ボトルネックフリー多値ロジックインメモリVLSIの開発と応用
Because of the thermal distribution of electrons in a semiconductor, modern transistors cannot be tu...
Ferroelectric non-volatile memories have gained momentous importance in the recent years. Significan...
A 2T2C ferroelectric memory cell consisting of a select transistor, a read transistor and two ferroe...
科研費報告書収録論文(課題番号:13558026・基盤研究(B)(2)・13～16/研究代表者:羽生, 貴弘/転送ボトルネックフリー多値ロジックインメモリVLSIの開発と応用
科研費報告書収録論文(課題番号:12480064・基盤研究(B)(2) ・H12～H14/研究代表者:亀山, 充隆/配線ボトルネックフリー2線式多値ディジタルコンピューティングVLSIシステム
科研費報告書収録論文(課題番号:09558027・基盤研究(B)(2)・H9～H12/研究代表者:羽生, 貴弘/1トランジスタセル多値連想メモリの試作とその応用
A novel architecture f o r a Multiple-Valued Ferroelectric Content-Addressable Memory (FCAM) is prop...
科研費報告書収録論文(課題番号:13558026・基盤研究(B)(2)・13～16/研究代表者:羽生, 貴弘/転送ボトルネックフリー多値ロジックインメモリVLSIの開発と応用
科研費報告書収録論文(課題番号:12480064・基盤研究(B)(2) ・H12～H14/研究代表者:亀山, 充隆/配線ボトルネックフリー2線式多値ディジタルコンピューティングVLSIシステム
The polarization reversal in ferroelectric HfO₂ is adopted to store information in three distinct de...
International audienceEmerging non-volatile memories are getting new interest in the system design c...
DoctorAs the production of information increases, there is an increasing demand for a high-performan...
A 2TnC ferroelectric memory gain cell consisting of two transistors and two or more ferroelectric ca...
We report the operation of a potential nonvolatile bistable capacitor memory element consisting of a...
We present the electrical characterization of an autonomous non-volatile ferroelectric memory latch ...
Because of the thermal distribution of electrons in a semiconductor, modern transistors cannot be tu...
Ferroelectric non-volatile memories have gained momentous importance in the recent years. Significan...
A 2T2C ferroelectric memory cell consisting of a select transistor, a read transistor and two ferroe...
科研費報告書収録論文(課題番号:13558026・基盤研究(B)(2)・13～16/研究代表者:羽生, 貴弘/転送ボトルネックフリー多値ロジックインメモリVLSIの開発と応用
科研費報告書収録論文(課題番号:12480064・基盤研究(B)(2) ・H12～H14/研究代表者:亀山, 充隆/配線ボトルネックフリー2線式多値ディジタルコンピューティングVLSIシステム
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A novel architecture f o r a Multiple-Valued Ferroelectric Content-Addressable Memory (FCAM) is prop...
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科研費報告書収録論文(課題番号:12480064・基盤研究(B)(2) ・H12～H14/研究代表者:亀山, 充隆/配線ボトルネックフリー2線式多値ディジタルコンピューティングVLSIシステム
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