Proprietes de photoluminescence de GaAs : contribution a l'etude de GaAs heteroepitaxie sur (Ca, Sr)F2 par la technique des jets moleculaires

Superficies y vacío

Sociedad Mexicana
Ciencia Tecnología

September 2016

Photoluminescence study of GaAs homoepitaxial structures with different in situ substrate surface cl...

Etude des conditions d'activation de photocathodes au GaAs par differents composes alcalins

Besancon, M.
Beghin, M.
Besse, J.P.
Jupille, J.
Piquard, G.
Cassuto, A.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Hyperelec, 19 - Brive (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11074 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

YAG photoluminescence of GaAs : Cr

B. Deveaud
A.M. Hennel
W. Szuszkiewicz
G. Picoli
G. Martinez

January 1980

We have performed photoluminescence experiments, using two excitation sources : a YAG laser and a kr...

Etude des premieres etapes de la croissance par jets moleculaires sur les systemes heteroepitaxiaux : GaAs-(Ca, Sr)F2 et GaAs/Si

Castagne, Jean
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

GaAs et GaAs:In : influence des traitements de surface et caracterisation de l'homogeneite de la photoluminescence

Khoukh, Abdelaziz
Ecole Centrale Lyonnaise, 69 - Ecully (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures GaAs/GaAlAs pour transistors bipolaires

Harmand, Jean-Christophe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie de (Ca,Sr)F2/GaAs et GaAs/(Ca,Sr)F2 : contribution a l'etude des proprietes electriques des couches

Berrabah, Meriem

January 1985

SIGLECNRS T 57742 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaAs sur fluorures mixtes (CA, SR)F2

Munoz-Yaque, A.
Carles, R.
Benarfa, H.
Berrabah, M.
Fontaine, C.
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11193 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des interactions defauts ponctuels-dislocations dans GaAs: imagerie de photoluminescence, revelations chimiques et recuits thermiques

Bunod, Philippe

January 1989

SIGLEINIST T 73478 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires

Liévin, Jean-Louis

January 1986

This work presents the development of GaAlAs-GaAs heterostructures for transistor and bipolar integr...

Contribution a l'etude du centre EL2 dans GaAs semi-isolant par photoextinction des images de transmission infra-rouge

Kang, Seong Jun

January 1990

SIGLEINIST T 75827 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation par cathodoluminescence de couches GaAs epitaxiees et de leurs dislocations

De Meerschman, Christian

January 1990

SIGLEINIST T 73904 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception et realisation par epitaxie par jets moleculaires de diodes laser a puits quantique GaAs-AlGaAs a ruban nervure emettant dans le spectre visible

Chatenoud, Francoise

January 1988

SIGLECNRS T 63382 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Superficies y vacío

Sociedad Mexicana
Ciencia Tecnología

September 2016

Photoluminescence study of GaAs homoepitaxial structures with different in situ substrate surface cl...

Etude des conditions d'activation de photocathodes au GaAs par differents composes alcalins

Besancon, M.
Beghin, M.
Besse, J.P.
Jupille, J.
Piquard, G.
Cassuto, A.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Hyperelec, 19 - Brive (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11074 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

YAG photoluminescence of GaAs : Cr

B. Deveaud
A.M. Hennel
W. Szuszkiewicz
G. Picoli
G. Martinez

January 1980

We have performed photoluminescence experiments, using two excitation sources : a YAG laser and a kr...

Etude des premieres etapes de la croissance par jets moleculaires sur les systemes heteroepitaxiaux : GaAs-(Ca, Sr)F2 et GaAs/Si

Castagne, Jean
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

GaAs et GaAs:In : influence des traitements de surface et caracterisation de l'homogeneite de la photoluminescence

Khoukh, Abdelaziz
Ecole Centrale Lyonnaise, 69 - Ecully (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures GaAs/GaAlAs pour transistors bipolaires

Harmand, Jean-Christophe

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits integres bipolaires

Lievin, Jean-Louis

January 1986

SIGLECNRS T 59744 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie de (Ca,Sr)F2/GaAs et GaAs/(Ca,Sr)F2 : contribution a l'etude des proprietes electriques des couches

Berrabah, Meriem

January 1985

SIGLECNRS T 57742 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moleculaires de GaAs sur fluorures mixtes (CA, SR)F2

Munoz-Yaque, A.
Carles, R.
Benarfa, H.
Berrabah, M.
Fontaine, C.
Toulouse-3 Univ., 31 (France). Lab. d'Automatique et d'Analyse des Systemes
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11193 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des interactions defauts ponctuels-dislocations dans GaAs: imagerie de photoluminescence, revelations chimiques et recuits thermiques

Bunod, Philippe

January 1989

SIGLEINIST T 73478 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires

Liévin, Jean-Louis

January 1986

This work presents the development of GaAlAs-GaAs heterostructures for transistor and bipolar integr...

Contribution a l'etude du centre EL2 dans GaAs semi-isolant par photoextinction des images de transmission infra-rouge

Kang, Seong Jun

January 1990

SIGLEINIST T 75827 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Epitaxie par Jets Moleculaires de CdTe sur GaAs "De la premiere monocouche aux proprietes structurales et optiques des materiaux"

Gobil, Yveline

January 1990

SIGLEINIST T 71047 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation par cathodoluminescence de couches GaAs epitaxiees et de leurs dislocations

De Meerschman, Christian

January 1990

SIGLEINIST T 73904 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Conception et realisation par epitaxie par jets moleculaires de diodes laser a puits quantique GaAs-AlGaAs a ruban nervure emettant dans le spectre visible

Chatenoud, Francoise

January 1988

SIGLECNRS T 63382 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Superficies y vacío

Sociedad Mexicana
Ciencia Tecnología

September 2016

Photoluminescence study of GaAs homoepitaxial structures with different in situ substrate surface cl...

Etude des conditions d'activation de photocathodes au GaAs par differents composes alcalins

Besancon, M.
Beghin, M.
Besse, J.P.
Jupille, J.
Piquard, G.
Cassuto, A.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Hyperelec, 19 - Brive (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11074 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

YAG photoluminescence of GaAs : Cr

B. Deveaud
A.M. Hennel
W. Szuszkiewicz
G. Picoli
G. Martinez

January 1980

We have performed photoluminescence experiments, using two excitation sources : a YAG laser and a kr...

Proprietes de photoluminescence de GaAs : contribution a l'etude de GaAs heteroepitaxie sur (Ca, Sr)F2 par la technique des jets moleculaires

Abstract

Extracted data

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