YAG photoluminescence of GaAs : Cr

We have performed photoluminescence experiments, using two excitation sources : a YAG laser and a krypton laser, on a series of Chromium doped GaAs samples. The carrier concentration of the samples ranges from 1018 (n-type) to p-type (lightly doped). Three bands of photoluminescence at 0.57 eV, 0.61 eV and 0.839 eV are associated with Chromium. Their respective variations with excitation source and Fermi level position are reported. A tentative explanation in terms of the Configurational-Coordinate model for the (Cr 3+-Cr2+) centre is presented.Nous avons étudié en photoluminescence une série d'échantillons de GaAs dopés chrome. Deux sources d'excitation ont été utilisées : un laser YAG et un laser krypton. La concentration en porteurs libres des échantillons est comprise entre 1018 cm-3 (type n) et type p (faiblement dopé). Trois bandes de photoluminescence sont attribuées au chrome : 0,57 eV, 0,61 eV et 0,839 eV. Nous présentons leurs variations respectives en fonction de la source d'excitation et de la position du niveau de Fermi. Nous proposons un modèle, en termes de coordonnée de configuration, qui pourrait expliquer la plupart des propriétés observées