Etude des interactions defauts ponctuels-dislocations dans GaAs: imagerie de photoluminescence, revelations chimiques et recuits thermiques

Etude des conditions d'activation de photocathodes au GaAs par differents composes alcalins

Besancon, M.
Beghin, M.
Besse, J.P.
Jupille, J.
Piquard, G.
Cassuto, A.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Hyperelec, 19 - Brive (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11074 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Dynamique de photoluminescence dans les boîtes quantiques auto-assemblées InGaAs/GaAs (propriétés de spin et couplage électronique inter-boîte)

JBELI, Anouar
MARIE, Xavier
AMAND, Thierry

January 2003

Le présent mémoire est une contribution à l'étude des propriétés électroniques des boîtes quantiques...

Contribution a l'etude des phenomenes de photoconduction sur materiaux contraints GaInAs/GaAs : application a la realisation de tetes optiques integrees aux longueurs d'ondes 1.3 - 1.55 um

Ramdani, Jamal

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la nature et des proprietes des defauts d'irradiation dans GaAs: defauts primaires et defauts complexes formes par interaction defauts-defauts et defauts-impuretes

Guillot, G.
Loualiche, S.
Nouailhat, A.
Martin, G.M.
Makram-Ebeid, S
DGRST Paris (FRANCE)
Institut National des Sciences Appliquees de Lyon Villeurbanne (FRANCE)

January 1982

SIGLECNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes optiques des dislocations dans GaAs : consequences sur la photoplasticite et les phenomenes de degradation

Depraetere, Eric

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

GaAs et GaAs:In : influence des traitements de surface et caracterisation de l'homogeneite de la photoluminescence

Khoukh, Abdelaziz
Ecole Centrale Lyonnaise, 69 - Ecully (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation par cathodoluminescence de couches GaAs epitaxiees et de leurs dislocations

De Meerschman, Christian

January 1990

SIGLEINIST T 73904 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes de photoluminescence de GaAs : contribution a l'etude de GaAs heteroepitaxie sur (Ca, Sr)F2 par la technique des jets moleculaires

Benarfa, Houria
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS TD 14929 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation de GaAs massif et Contraste EBIC des dislocations

Carton, Patrick

January 1990

SIGLEINIST T 73481 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du vieillissement de diodes electroluminescentes GaAs-GaAlAs

Martin, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes optiques et interfaces des puits quantiques GaAs/GaAIAs

Meynadier, Marie-Helene
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1985

SIGLECNRS RP 207 (101) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude du centre EL2 dans GaAs semi-isolant par photoextinction des images de transmission infra-rouge

Kang, Seong Jun

January 1990

SIGLEINIST T 75827 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Photoluminescence and defect studies of GaAs, AlGaAs and diamond

Visser, E.P.

January 1990

Contains fulltext : mmubn000001_103689621.pdf (publisher's version ) (Open Access)...

Etude des phenomenes de piegeage en volume et en surface dans une structure photoconductrice de type planar sur GaAs

Bouchemat, Mohamed

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Space- and time-resolved photoluminescence of In-alloyed GaAs using photoluminescence excitation correlation spectroscopy

Johnson, M. B.
McGill, T. C.
Hunter, A. T.

July 1989

Photoluminescence excitation correlation spectroscopy is used to space and time resolve photolumines...

Etude des conditions d'activation de photocathodes au GaAs par differents composes alcalins

Besancon, M.
Beghin, M.
Besse, J.P.
Jupille, J.
Piquard, G.
Cassuto, A.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Hyperelec, 19 - Brive (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11074 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Dynamique de photoluminescence dans les boîtes quantiques auto-assemblées InGaAs/GaAs (propriétés de spin et couplage électronique inter-boîte)

JBELI, Anouar
MARIE, Xavier
AMAND, Thierry

January 2003

Le présent mémoire est une contribution à l'étude des propriétés électroniques des boîtes quantiques...

Contribution a l'etude des phenomenes de photoconduction sur materiaux contraints GaInAs/GaAs : application a la realisation de tetes optiques integrees aux longueurs d'ondes 1.3 - 1.55 um

Ramdani, Jamal

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude de la nature et des proprietes des defauts d'irradiation dans GaAs: defauts primaires et defauts complexes formes par interaction defauts-defauts et defauts-impuretes

Guillot, G.
Loualiche, S.
Nouailhat, A.
Martin, G.M.
Makram-Ebeid, S
DGRST Paris (FRANCE)
Institut National des Sciences Appliquees de Lyon Villeurbanne (FRANCE)

January 1982

SIGLECNRS-CDST / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes optiques des dislocations dans GaAs : consequences sur la photoplasticite et les phenomenes de degradation

Depraetere, Eric

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

GaAs et GaAs:In : influence des traitements de surface et caracterisation de l'homogeneite de la photoluminescence

Khoukh, Abdelaziz
Ecole Centrale Lyonnaise, 69 - Ecully (France)

January 1988

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation par cathodoluminescence de couches GaAs epitaxiees et de leurs dislocations

De Meerschman, Christian

January 1990

SIGLEINIST T 73904 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes de photoluminescence de GaAs : contribution a l'etude de GaAs heteroepitaxie sur (Ca, Sr)F2 par la technique des jets moleculaires

Benarfa, Houria
Institut National des Sciences Appliquees (INSA), 31 - Toulouse (France)

January 1986

SIGLECNRS TD 14929 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Caracterisation de GaAs massif et Contraste EBIC des dislocations

Carton, Patrick

January 1990

SIGLEINIST T 73481 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude du vieillissement de diodes electroluminescentes GaAs-GaAlAs

Martin, Philippe

January 1989

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Proprietes optiques et interfaces des puits quantiques GaAs/GaAIAs

Meynadier, Marie-Helene
Ecole Nationale Superieure des Telecommunications (ENST), 75 - Paris (France)

January 1985

SIGLECNRS RP 207 (101) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Contribution a l'etude du centre EL2 dans GaAs semi-isolant par photoextinction des images de transmission infra-rouge

Kang, Seong Jun

January 1990

SIGLEINIST T 75827 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Photoluminescence and defect studies of GaAs, AlGaAs and diamond

Visser, E.P.

January 1990

Contains fulltext : mmubn000001_103689621.pdf (publisher's version ) (Open Access)...

Etude des phenomenes de piegeage en volume et en surface dans une structure photoconductrice de type planar sur GaAs

Bouchemat, Mohamed

January 1986

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Space- and time-resolved photoluminescence of In-alloyed GaAs using photoluminescence excitation correlation spectroscopy

Johnson, M. B.
McGill, T. C.
Hunter, A. T.

July 1989

Photoluminescence excitation correlation spectroscopy is used to space and time resolve photolumines...

Etude des conditions d'activation de photocathodes au GaAs par differents composes alcalins

Besancon, M.
Beghin, M.
Besse, J.P.
Jupille, J.
Piquard, G.
Cassuto, A.
Fonds de la Recherche et de la Technologie (FRT), 75 - Paris (France)
Hyperelec, 19 - Brive (France)

January 1985

SIGLECNRS AR 11074 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Dynamique de photoluminescence dans les boîtes quantiques auto-assemblées InGaAs/GaAs (propriétés de spin et couplage électronique inter-boîte)

JBELI, Anouar
MARIE, Xavier
AMAND, Thierry

January 2003

Le présent mémoire est une contribution à l'étude des propriétés électroniques des boîtes quantiques...

Contribution a l'etude des phenomenes de photoconduction sur materiaux contraints GaInAs/GaAs : application a la realisation de tetes optiques integrees aux longueurs d'ondes 1.3 - 1.55 um

Ramdani, Jamal

January 1987

SIGLECNRS T Bordereau / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Etude des interactions defauts ponctuels-dislocations dans GaAs: imagerie de photoluminescence, revelations chimiques et recuits thermiques

Abstract

Extracted data

Etude des interactions defauts ponctuels-dislocations dans GaAs: imagerie de photoluminescence, revelations chimiques et recuits thermiques

Abstract

Extracted data

Related items

Related items