Pulsed annealing of semiconductors by microwave energy

A new method for annealing semiconductors using pulsed microwave power is presented. It has a very good energy efficiency (up to 30 %), it results in a very good spatial homogeneity of the annealed sample, and important surfaces can be treated at once. The experimental set-up is given. We show the possibility to anneal implanted silicon. For high resistivity samples a simultaneous illumination of the treated surface is needed.Une nouvelle méthode de recuit pulsé de semiconducteurs par énergie microonde est proposée et testée. Elle présente un très bon rendement énergétique global (20 à 30 %) et elle permet des recuits d'une très bonne homogénéité spatiale des surfaces importantes. Le principe de la méthode ainsi que le montage expérimental relatif aux premiers essais sont décrits. Nous montrons la possibilité de recuire des couches implantées de silicium à condition d'éclairer l'échantillon