本論文的目的在於實現CMOS位移電容感測器之佈局,並比較佈局前後效能之差異。文中利用雙級運算放大器做為主體,接著佈局離散元件,並在佈局後些微修改以達到需求,最後探討全系統架構模擬之電容改變量與輸出電壓間的關係,本系統模擬後解析度可達 法拉等級。本論文使用國家晶片系統設計中心(NSC Chip Implementation Center, CIC)所提供的台灣積體電路(TSMC)0.35μm Mixed-Signal 2P4M Polycide 3.3/5V的製程,並使用Synopsys 公司所出的Hspice電路模擬軟體與思源公司的laker軟體進行模擬及佈線。The purpose of this dissertation is to realize the design and layout of CMOS capacitive sensing circuit, and in this case to compare the differences before and after layout. In this dissertation use the two-stage amplifier to be the principal. Furthermore, layout the dispersed elements, and modify that after layout to satisfy our requirement. his dissertation is applying 0.35μm Mixed-Signal 2P4M Polycide 3.3/5V manufacture process of TSCM which is provided by ...
隨著無線通訊系統蓬勃發展,射頻應用為了因應時代演進不斷的往高頻方向發展。無線系統對於振盪訊號的純淨度要求甚高,而鎖相迴路則可將振盪器的雜訊加以抑制,提供系統較好的相位雜訊。 本論文設計應用通訊系統...
為了抑制高速數位電路中的同步切換雜訊,一種可應用於印刷電路板和封裝中的光子晶體電源層的結構在先前被提出。而由於目前發展出的高介電材質本身特性,此種光子晶體電源層的結構難以實際製作於印刷電路板和封裝...
本研究以實作與模擬並行的方式,探討待測液體折射率、感測區金膜厚度及感測區長度對光波導式表面電漿子共振感測元件行為之影響,三項變因之試驗範圍分別為待測液體折射率1.3329~1.4724,金膜厚度100...
隨著製程微細化,閘極和絕緣層厚度都會呈比例縮小以減少晶片的面積。原本以多晶矽作為閘極而產生的閘極空乏區效應會逐漸明顯。使用金屬作為閘極不但能消除此效應,同時還有低阻抗等優點。但在使用金屬作為閘極的同時...
在印刷電路板線路設計時,工程師通常要以人工方式比對線路,而伴隨著半導體科技的進步,印刷電路板的線路越來越複雜,單靠人眼已無法達成快速檢查的要求。所以希望能以影像處理的技術來進行全自動的分析檢查,來降低...
本文利用CMOS標準製程製作壓力感測器,並整合積體電路,其製程處理分兩階段:先以濕式蝕刻去除金屬犧牲層,將外觀六邊形蜂窩形狀懸浮釋放,其剖面如三明治形狀的結構層;接著再用高分子Parylene封裝壓力...
近年來因諧波失真問題被重視,為了符合各國所訂定的標準,功率因數校正電路已為電源供應器重要的一部分;在現行主動式功率因數校正電路架構中,類比乘法器為控制電路中的核心。本文主要探討應用於功率校正電路之類比...
本篇論文主要是使用耦合矩陣合成法,將具有濾波響應的廣義柴比雪夫多項式進而合成所需的耦合矩陣,再藉由耦合共振器濾波器來實現帶通濾波響應。N階柴比雪夫多項式除了在通帶內是等連波響應外,可以透過預先置入最多...
本論文主要目的是將直流偏移消除技術實現於晶片設計上,並利用FPGA來對此電路進行實體上之驗證,以說明此電路之可行性。本文採用Bottom-Up之設計方式,將此直流偏移消除技術分成三個模組,對於第一個F...
使用數位控制器的直流電源轉換器,提供了電源設計者更好的設計空間與更靈活的設計彈性,且數位控制器又具有線上調整之功能。 本論文,探討降壓型轉換器操作在連續導通模式與不連續導通模式下之數位控制設計與分...
本論文以數值模擬的方式來觀察三維積體電路中的矽穿孔通道周圍之熱應力,並佐以壓阻係數來換算此應力造成之矽基板載子遷移率變化率。目的是縮小載子遷移率變化率過大而被定為禁止擺放元件的排除區域。在考慮矽基板材...
本論文中提出了100奈米絕緣體上矽金氧半元件的本體和邊緣電容分析。 第二章說明不同氧化層厚度下,本體電容和邊緣電容彼此之間的關係。 第三章研究高介電係數材料作為閘極介電層時的本體電容及邊緣電容彼此的關...
我們提出一個全新的相變化材料—氮銦鎵系氧化物(InGaNO),並以X-射線繞射測定(XRD)、圓形傳輸線法(CTLM)、示差掃描熱分析法(DSC)探討其相變化特性,與鍺銻鍗相變化合金(GST)相比。氮...
本論文中提出了低溫多晶矽薄膜電晶體的電流突增效應(Kink Effect)之DC直流與AC交流分析。 第一章對於顯示器技術將來以及現在之趨勢,簡單介紹低溫多晶矽薄膜電晶體元件結構以及電流突增效應。 第...
本文提出一種新型的電極結構,此結構適用於X-cut鈮酸鋰基板上之脊形電光調變器,其優點為可增加重疊積分值、降低驅動電壓。經模擬分析,相較於傳統電極結構的脊形結構電光調變器,其驅動電壓可以降低15%以上...
隨著無線通訊系統蓬勃發展,射頻應用為了因應時代演進不斷的往高頻方向發展。無線系統對於振盪訊號的純淨度要求甚高,而鎖相迴路則可將振盪器的雜訊加以抑制,提供系統較好的相位雜訊。 本論文設計應用通訊系統...
為了抑制高速數位電路中的同步切換雜訊,一種可應用於印刷電路板和封裝中的光子晶體電源層的結構在先前被提出。而由於目前發展出的高介電材質本身特性,此種光子晶體電源層的結構難以實際製作於印刷電路板和封裝...
本研究以實作與模擬並行的方式,探討待測液體折射率、感測區金膜厚度及感測區長度對光波導式表面電漿子共振感測元件行為之影響,三項變因之試驗範圍分別為待測液體折射率1.3329~1.4724,金膜厚度100...
隨著製程微細化,閘極和絕緣層厚度都會呈比例縮小以減少晶片的面積。原本以多晶矽作為閘極而產生的閘極空乏區效應會逐漸明顯。使用金屬作為閘極不但能消除此效應,同時還有低阻抗等優點。但在使用金屬作為閘極的同時...
在印刷電路板線路設計時,工程師通常要以人工方式比對線路,而伴隨著半導體科技的進步,印刷電路板的線路越來越複雜,單靠人眼已無法達成快速檢查的要求。所以希望能以影像處理的技術來進行全自動的分析檢查,來降低...
本文利用CMOS標準製程製作壓力感測器,並整合積體電路,其製程處理分兩階段:先以濕式蝕刻去除金屬犧牲層,將外觀六邊形蜂窩形狀懸浮釋放,其剖面如三明治形狀的結構層;接著再用高分子Parylene封裝壓力...
近年來因諧波失真問題被重視,為了符合各國所訂定的標準,功率因數校正電路已為電源供應器重要的一部分;在現行主動式功率因數校正電路架構中,類比乘法器為控制電路中的核心。本文主要探討應用於功率校正電路之類比...
本篇論文主要是使用耦合矩陣合成法,將具有濾波響應的廣義柴比雪夫多項式進而合成所需的耦合矩陣,再藉由耦合共振器濾波器來實現帶通濾波響應。N階柴比雪夫多項式除了在通帶內是等連波響應外,可以透過預先置入最多...
本論文主要目的是將直流偏移消除技術實現於晶片設計上,並利用FPGA來對此電路進行實體上之驗證,以說明此電路之可行性。本文採用Bottom-Up之設計方式,將此直流偏移消除技術分成三個模組,對於第一個F...
使用數位控制器的直流電源轉換器,提供了電源設計者更好的設計空間與更靈活的設計彈性,且數位控制器又具有線上調整之功能。 本論文,探討降壓型轉換器操作在連續導通模式與不連續導通模式下之數位控制設計與分...
本論文以數值模擬的方式來觀察三維積體電路中的矽穿孔通道周圍之熱應力,並佐以壓阻係數來換算此應力造成之矽基板載子遷移率變化率。目的是縮小載子遷移率變化率過大而被定為禁止擺放元件的排除區域。在考慮矽基板材...
本論文中提出了100奈米絕緣體上矽金氧半元件的本體和邊緣電容分析。 第二章說明不同氧化層厚度下,本體電容和邊緣電容彼此之間的關係。 第三章研究高介電係數材料作為閘極介電層時的本體電容及邊緣電容彼此的關...
我們提出一個全新的相變化材料—氮銦鎵系氧化物(InGaNO),並以X-射線繞射測定(XRD)、圓形傳輸線法(CTLM)、示差掃描熱分析法(DSC)探討其相變化特性,與鍺銻鍗相變化合金(GST)相比。氮...
本論文中提出了低溫多晶矽薄膜電晶體的電流突增效應(Kink Effect)之DC直流與AC交流分析。 第一章對於顯示器技術將來以及現在之趨勢,簡單介紹低溫多晶矽薄膜電晶體元件結構以及電流突增效應。 第...
本文提出一種新型的電極結構,此結構適用於X-cut鈮酸鋰基板上之脊形電光調變器,其優點為可增加重疊積分值、降低驅動電壓。經模擬分析,相較於傳統電極結構的脊形結構電光調變器,其驅動電壓可以降低15%以上...
隨著無線通訊系統蓬勃發展,射頻應用為了因應時代演進不斷的往高頻方向發展。無線系統對於振盪訊號的純淨度要求甚高,而鎖相迴路則可將振盪器的雜訊加以抑制,提供系統較好的相位雜訊。 本論文設計應用通訊系統...
為了抑制高速數位電路中的同步切換雜訊,一種可應用於印刷電路板和封裝中的光子晶體電源層的結構在先前被提出。而由於目前發展出的高介電材質本身特性,此種光子晶體電源層的結構難以實際製作於印刷電路板和封裝...
本研究以實作與模擬並行的方式,探討待測液體折射率、感測區金膜厚度及感測區長度對光波導式表面電漿子共振感測元件行為之影響,三項變因之試驗範圍分別為待測液體折射率1.3329~1.4724,金膜厚度100...