An investigation of reflection indices and birefringence of semiconductors – ferroelectrics crystals

Kietojo kūno optikos mokslinėje laboratorijoje buvo išmatuoti mūsų išaugintų SbSI, TlInS2 ir TGS kristalų dvejopo lūžio priklausomybė nuo temperatūros. Eksperimentinis dvejopo lūžio priklausomybės nuo temperatūros tyrimas leido nustatyti TGS, TlInS2 ir SbSI kristalų fazinių virsmų temperatūrą. Teoriškai, tankio funkcionalo teorijos metodu (DFT), buvo apskaičiuoti SbSI kristalo lūžio rodikliai paraelektrinėje ir feroelektrinėje fazėse. Taip pat skaičiuotas dvejopas lūžis feroelektrinio fazinio virsmo srityje. Teoriniai dvejopo lūžio skaičiavimų rezultatai palyginti su eksperimentiniais matavimų rezultatais.In Solid State Science Laboratory we measured birefringence on temperature of grown SbSI, TlInS2 and TGS crystals. The measurement of birefringence helps to evaluate the ferroelectric phase transition of TGS, TlInS2 ir SbSI crystals. Refractive indices of SbSI crystal in paraelectric and ferroelectric phase we investigated by DFT method with program Wien2k. The theoretical results of birefringence were compared with experimental results.Švietimo akademijaVytauto Didžiojo universiteta