RF naprašované amorfní chalkogenidové tenké vrstvy pro povrchem zesílenou infračervenou absorpční spektroskopii

The primary objective of this study is the development of transparent thin film materials in the IR enabling strong infrared absorption of organic compounds in the vicinity of metal nanoparticles by the surface plasmon effect. For developing these optical micro-sensors, heterostructures combining gold nanoparticles and chalcogenide planar waveguides are fabricated and adequately characterized. Single As2S3 and Ge25Sb10Se65 amorphous chalcogenide thin films are prepared by radiofrequency magnetron sputtering. For the fabrication of gold nanoparticles on a chalcogenide planar waveguide, direct current sputtering is employed. Fabricated single layers or hetero-structures are characterized using various techniques to investigate the influence of deposition parameters. The nanoparticles of gold are functionalized by a self-assembled monolayer of 4-nitrothiophenol. Finally, the surface enhanced infrared absorption spectra of 4-nitrothiophenol self-assembled on fabricated Au/Ge-Sb-Se thin films hetero-structures are measured and analyzed. This optical component presents a ~24 enhancement factor for the detection of NO2 symmetric stretching vibration band of 4-nitrothiophenol at 1336 cm−1.Pro vývoj optických mikrosenzorů byly připraveny a adekvátně charakterizovány heterostruktury kombinující nanočástice zlata a chalkogenidové planární vlnovody. Amorfní chalkogenidové tenké vrstvy As2S3 a Ge25Sb10Se65 byly připraveny radiofrekvenčním magnetronovým naprašováním. Připravené vrstvy či heterostruktury jsou charakterizovány různými technikami s cílem studovat vliv depozičních podmínek. Nanočástice zlata jsou funkcionalizovány samouspořádanou monovrstvou 4-nitrothiofenolu. Byla změřena a analyzována povrchem zesílená infračervená absorpční spektra 4-nitrothiofenolu na připravených Au/Ge-Sb-Se tenkovrstvých heterostrukturách. Tato optická součást prokázala 24 násobné zesílení pro detekci symetrické valenční vibrace NO2 4-nitrothiofenolu při 1336 cm(-1)