Attachement électronique dissociatif sur HCI et DCI

The formation of negative ions in HCI and DCI is studied with a total ionization chamber. In addition to the already well established peak of CI- ions, two other peaks are observed at 6.9 and 9.2 eV. These peaks are due to H- (D-) ions. We have determined the absolute cross section for the different processes and measured the corresponding isotope effects. We obtained :$$.La formation des ions négatifs dans HCI et DCl est étudiée à l'aide d'un tube à ionisation totale. En plus du pic d'ions CI- observé par de nombreux auteurs, la courbe représentant le courant d'ions négatifs en fonction de l'énergie des électrons comporte deux autres pics à 6,9 et 9,2 eV. Ces pics sont attribués aux ions H- (D-). Nous avons déterminé la valeur des sections efficaces des différents processus d'attachement et mesuré les effets isotopiques correspondants. Nous obtenons :$$