Etude de silicium implanté à l'arsenic par effet de transport. Influence du recuit thermique

A study of the effects of thermal annealing on the transport properties in arsenic implanted silicon films is reported. In particular, the sheet resistance and the Hall mobility obtained by the Van der Pauw method is measured as a function of temperature (77 K to 300 K) on N+ /N non annealed and isothermally annealed samples between 300 °C to 1100 °C. The activation energy of the recovery process of the ionic implantation damages found on the order to 0.65 eV is likely attributed to a local reconstruction of the layer. Around 420 °C, the sheet resistance varies on several orders of magnitude and the Hall mobility variations with temperature clearly put toward a noticeable change of the scattering processes with annealing temperature.Une étude des effets du recuit thermique sur les propriétés de transport dans le silicium implanté à l'arsenic est présentée. En particulier, la résistance carré et la mobilité de Hall obtenues par la méthode de Van der Pauw ont été mesurées en fonction de la température (77 K à 300 K) sur des échantillons N+ /N non recuits et soumis à des recuits isothermes entre 300 °C et 1 100 °C. L'énergie d'activation du processus de guérison des dommages causés par l'implantation ionique, trouvée de l'ordre de 0,65 eV, est attribuable à une restructuration locale des couches. Au voisinage de 420 °C, la résistance carré varie de plusieurs ordres de grandeurs et les variations de la mobilité de Hall avec la température traduisent un changement notable des mécanismes de collisions avec la température de recuit