EVIDENCE OF STRUCTURAL MODIFICATION OF IMPLANTED SILICON DURING FURNACE ANNEALING

Nous présentons des résultats de mesure de conductivité, d'effet Hall, d'ellipsométrie spectroscopique, de canalisation et de microscopie électronique en transmission à haute résolution sur du silicium implanté arsenic sous 30 keV et recuit à 475° C. Ces résultats permettent de suivre les modifications de la structure au cours du recuit. Par ailleurs un effet Hall anormalement élevé a été observé après recuit.Conductivity, Hall effect, spectroscopic ellipsometry, channeling and high resolution TEM results are shown on 30 keV As implanted Si. Structural modifications are followed during the 475° C annealing process. An enhanced Hall effect has been observed on annealed samples