Growth and interface characterization of GaAs/GaAlAs superlattices

The growth conditions of multi-quantum wells (MQWs) and superlattices (SLs) have been optimized and the characterization of the interface of high quality GaAs/GaAlAs and GaAs/AIAs superlattices has been performed. Electron microscopy, luminescence and X-ray diffraction show interfaces flat within one monolayer and only very large growth islands.Le rôle de la qualité des interfaces dans les superstructures multiples puits quantiques (MQW) ou superréseaux (SR) a souvent été évoqué. Cependant, son importance a été, à notre avis, sous-estimée. Dans cet exposé nous montrerons comment la qualité de l'interface peut être améliorée dans les systèmes à base de GaAs et de GaAlAs. Nous verrons comment on a pu vérifier cette amélioration (en particulier pour l'interface inverse GaAs sur GaAlAs) ainsi que les conséquences d'une bonne qualité de l'interface sur certaines propriétés physiques des SR