INTERFACE RECOMBINATION IN GaAs-GaAlAs QUANTUM WELLS

La durée de vie non radiative dans des doubles hétérostructures GaAs-GaAlAs non dopées fabriqués en EJM et EOM a été étudiée en utilisant une méthode de déclin de luminescence avec une résolution de 10 ps. La vitesse de recombinaison à l'interface S est obtenue en étudiant des séries d'échantillons ayant différentes épaisseurs d de GaAs (entre 1 µm et 20 Å). Pour chaque série, S est constant quand d est supérieur à 200 Å. Quand d est inférieur à 200 Å, S croît du fait de l'augmentation de la probabilité de présence des porteurs dans la barrière quand l'épaisseur du puits décroît.Non radiative carriers lifetime has been studied in MBE and MOCVD grown GaAs-GaAlAs undoped double heterostructures by luminescence decay technique. Interface recombination velocity is obtained by studying series of samples with different GaAs layer thicknesses d (between 1 µm and 20 Å). For each series S is constant when d is larger than 200 Å. When d is smaller than 200 Å, S increases due to the increase of the leaking of the carriers wave functions in the barrier when the well thickness decreases