PRODUCTION OF SMALL OHMIC CONTACTS BY LASER PROCESSING FOR Si AND GaAs DEVICES

Le recuit local de contacts de petite dimension sur une couche de Si et GaAs a été réalisé à l'aide d'un laser continu focalisé (Ø = 3 µm, 0,5W) sans affecter les contacts Schottky situés quelques µm à coté des parties irradiées. Des contacts à base de Ti/Pt sur du silicium du type N ont montré une résistance inférieure à 10-6Ωcm2, des résistances de contact du Ti/AuGe/Pt sur une couche de GaAs du type N sont de l'ordre de 1.5.10-5 Ωcm2. Les résultats sont comparables à ceux obtenus pour des contacts recuit par une méthode conventionelle.Small contact patterns on Si and GaAs have been alloyed locally with a focused cw laser beam (Ø = 3µm, 0,5W), without affecting Schottky contacts few µm apart the irradiated areas. Contact resistances of less than 10-6 Ωcm2 for Ti/Pt contacts on n-Si and 1.5.10-5 Ωcm2 for Ti/AuGe/Pt on contacts on n-GaAs have been obtained. Conventional alloyed contacts show similar values