IMPROVEMENT OF GaAs EPITAXIAL LAYERS BY INDIUM INCORPORATION

On étudie l'influence de l'incorporation d'indium (0 - 6,5x1019 cm-3) dans des couches OMVPE de GaAs, sur les propriétés optiques en bord de gap et les centres profonds. En photoluminescence (PL), les bandes d'excitons liés et de recombinaisons donneur-accepteur glissent vers les basses énergies: il y a formation d'un alliage ternaire GaInAs très dilué. Les intensités de PL augmentent d'un facteur 10. Cette amélioration de la qualité optique des couches est en corrélation avec une réduction de la photoémission impliquant le chrome, dans le même rapport. Par contre, la concentration et le profil de EL2 déterminés par DLTS ne sont pas affectés. Nos résultats, conjointement à ceux de la littérature, semblent indiquer une réduction par l'indium des distorsions de réseau autour des défauts, limitant ainsi la formation de dislocations.The influence of indium incorporation (0 - 6.5x1019cm-3) GaAs OMVPE layers, on near-band-edge optical properties and deep trap content has been investigated. The bound exciton and donor-acceptor recombination lines in photoluminescence (PL) spectra shift toward lower energies versus indium content. This indicates the formation of a very dilute GaInAs ternary compound. The corresponding PL intensities increase by a factor of 10. This improvement in the optical quality of the layers correlates with a decrease in a ratio 10 for chromium-related PL intensities. On the opposite, the EL2 concentration and depth profile determined by DLTS are not affected. We suggest that indium relaxes lattice distorsions around residual defects and limits the formation of dislocations