Influence of indium on the dissociation of dislocations in GaAs at high temperature

Dislocations have been introduced in GaAs doped with indium, by plastic deformation between 773 K and 1 373 K. Transmission electron microscope observations have shown that indium increases the width of dissociation. This can explain the reduction of as-grown dislocations in In doped GaAs.Des dislocations ont été introduites dans GaAs dopé à l'indium par déformation plastique entre 773 K et 1 373 K. Des observations en microscopie électronique en transmission ont montré que l'indium augmente la largeur de dissociation. Cela permet d'expliquer la réduction de densité de dislocations de croissance dans GaAs dopé à l'indium