CHARGED GRAIN-BOUNDARIES IN n-Ge BICRYSTALS

Nous avons fait croître des bicristaux de germanium avec deux types de joint de flexion à faible énergie, Σ 9 et Σ 11 (d'après la classification du modèle CSL). Les courant-voltage caractéristiques des joints de grains ont été mesurés dans un domaine de temperature entre 77K et 420K. Nous trouvons des barrières de potentiel seulement pour des joints du type Σ 11 dans le germanium du type n, ce qui confirme des prédictions sur la structure atomique de ces joints [1]. Les résultats expérimentaux permettent la conclusion que la charge électronique des joints Σ 11 est capturée par un défaut du réseau avec un niveau d'énergie d'environ 0,2 eV au dessus du sommet de la bande de valence.Germanium bicrystals with two types of low-energy symmetric tilt boundaries, Σ 9 and Σ 11 (CSL model classification) were grown. Current-voltage characteristics of grain-boundaries were measured in the temperature range 77 K ÷ 420 K. Potential barriers were found only at Σ 11 boundaries in n Ge which confirms the theoretical predictions of the atomic structure of these boundaries [1]. From the experimental data the conclusion is drawn that the electronic charge of Σ 11 boundaries is captured at the lattice defect with the energy level of about 0.2 eV above the top of the valence band