ASYMMETRY OF ISOLATED DISLOCATIONS MOBILITY IN Ge AND Si SINGLE CRYSTALS

La variation de la vitesse des dislocations provoquée par l'inversion du signe de la contrainte de cisaillement appliquée a été étudiée dans Ge et Si en fonction de la température, de la contrainte et des conditions de traitement thermique. Les résultats obtenus sont discutés en prenant en compte l'influence de la dissociation des dislocations et de l'interaction dislocations-défauts ponctuels sur la formation et le développement des doubles décrochements.Change of dislocation velocities in Ge and Si caused by inversion of applied shear stress sign has been investigated as a function of temperature, stresses and thermal treatment conditions. The results obtained are discussed with account of the influence of dislocation splitting and dislocation-point defects interaction on the double kinks formation and extension