DISLOCATION MOBILITY MEASUREMENTS : AN ESSENTIAL TOOL FOR UNDERSTANDING THE ATOMIC AND ELECTRONIC CORE STRUCTURES OF DISLOCATIONS I N SEMICONDUCTORS

Des mesures de mobilité de dislocations dans des domaines de contrainte et de température encore inexplorés, ainsi que l'amélioration de la finesse des observations, ont permis de mettre en évidence des effets nouveaux. Ainsi les écarts à la loi de Schmid forte contrainte et basse température, le changement d'énergie d'activation observé haute température, l'influence des impuretés et des défauts ponctuels, de la longueur de dislocation, de l'illumination sur la vitesse des dislocations sont présentés et discutés en termes de germination et propagation des décrochements, de structure de coeur et de défauts de reconstruction. Quelques expériences nouvelles sont également suggérées.Thanks to the exploration of a wider range of stress and temperature, and to better instrumental resolution, new phenomena have been investigated and are reviewed here. Deviations to Schmid's law at high stresses and low temperatures, changes in the activation energy at high temperatures, influence on dislocation velocities of dislocation lengths, impurities and point defects and illunlination are reported and discussed in terms of kink nucleation and migration, core structures and reconstruction defects. Some new experiments are also proposed