Propiedades electrónicas de un anillo cuántico elíptico con sección transversal rectangular (Anillo cuántico elíptico)

Abstract The electronic states of a GaAs elliptic quantum ring embedded in AlxGa1-xAs matrix are investigated by mean of effective mass approximation. The quantum ring is built with rectangular cross section (radial direction). The Schrödinger equation is solved by using finite element method. In angular direction, the amplitude of altitude is modulated, it lets to model quantum dots in the quantum ring. The electron energies are reported as a function of size ring, for both the lengths of the ellipses in the xy plane and their height (z-axis).Resumo Os estados eletrônicos de um anel quântico elíptico de GaAs embutido em uma matriz de AlxGa1-xAs são investigados pela aproximação da massa efetiva. O anel quântico é construído com uma seção transversal retangular (direção radial). A equação de Schrödinger é resolvida pelo método dos elementos finitos. Na direção angular, a amplitude da altura é modulada, o que permite a geração de pontos quânticos ao longo do anel. As energias do elétron são relatadas como uma função das dimensões do anel, tanto os comprimentos das elipses no plano xy e sua altura (eixo z).Resumen Los estados electrónicos de un anillo cuántico elíptico de GaAs embebido en una matriz de AlxGa1-xAs son investigados mediante la aproximación de masa efectiva. El anillo cuántico es construido con una sección transversal rectangular (dirección radial). La ecuación de Schrödinger es resuelta mediante el método de elementos finitos. En dirección angular se modula la amplitud de la altura, lo que permite la generación de puntos cuánticos a lo largo del anillo. Se reportan las energías del electrón como función de las dimensiones S del anillo, tanto las longitudes de las elipses en el plano xy como su altura (eje z)