Ultrasonic spectroscopy in p-type silicon (*)

Resume.- On a determine Ia distribution des separations en energie des niveaux de ('etat fondarnental de I'accep-teur dans descristaux Si(B) tres purs en mesurant I'absorption resonnante ultrawnore dans une gamme importante de frequences. Les distributions mesurees se comparent bien avec lesdistributions attenduesdes champs electriques des = = lOll em- 3 donneurs residuels. On a mesure I'inttnsire critique pour saturer I'attenuation resonnante dans des cristaux avec differentes concentrations d'aocepteurs et eo fonction de la temperature. Bien que Ia distance: moycnne des accepteurs soit beaucoup plus grande que Ie rayon de Bohr des trollS lies 00 trouve que Its temps de relaxation sont raccourcis par I'interaction accepteur-accepteur. Abstr.ct,- From ultrasonic resonant absorption over a wide frequency range we have detennined the distri-bution of the energy splittings of the acceptor ground state in very pure Si(B) crystals. The measured distributions with maxima of the order of to ~V fit well to the expected electric field distribution from the::: lOll cm-) residual donors. The critical intensity for saturating the resonance attenuation has been measured in crystals of various acceptor concentrations and as a function of temperature. Although the average distance of acceptor atoms is much greater than the Bohr-radius of the bound defect-electrons, relaxation times are found to be shortened by the acceptor-acceptor interaction. I. IotroductiOD.- The ground state of a hol