Fabrication de réseaux de nanofils verticaux de GaAs sur substrat en Si(100) par une approche descendante

National audienceLes nanofils (NFs) III-V suscitent un intérêt particulier de par leur fort potentiel dans des domaines variéstels que la nanoélectronique, la nanophotonique ou les capteurs biologiques. Afin de favoriser sonintégration grande échelle, de nombreux travaux ont démontré des synthèses de nanofils III-V sur silicium parcroissance catalytique de type Vapeur Liquide Solide (VLS). Néanmoins ces approches sont toujoursconfrontées à des problèmes de reproductibilités (rendement de fils dans la même direction verticale,dispersion de diamètres..) et de miniaturisations (diamètre de NFs et espacement inter fils). De plus, ellesutilisent des substrats de silicium à direction cristalline particulière, Si(111). Dans ce papier, nous présenterons une approche alternative, utilisant un procédé « top-down » pourfabriquer des réseaux de nanofils verticaux en GaAs sur un substrat Si (100)