Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras

En este trabajo, se presentan los resultados de una investigación que consistió en el depósito y crecimiento de películas delgadas de nitruro de aluminio (AlN) al emplear la técnica de erosión iónica reactiva por corriente directa (DC). Las películas presentan un crecimiento preferencial, por lo que poseen propiedades compatibles para ser empleadas en heterouniones de ultralarga integración (ULSI, por sus siglas en inglés: Ultra Large Scale Integration).Todas las películas están conformadas por una fase mayoritaria de AlN tipo würzita con la presencia de fases dispersas de AlOx. Esta fase dispersa tiende a modificar las propiedades de estructura de la muestra como un todo. Se describe el análisis experimental de las propiedades estructurales, ópticas y electrónicas de las películas, y se sustenta este análisis con cálculos teóricos