Depósito de películas ultradelgadas de óxido de zinc (ZnO) por ALD

En este trabajo se reportan los resultados obtenidos en el crecimiento de películas ultradelgadas de óxido de zinc, mediante la técnica de depósito por capas atómicas (ALD). Las películas de ZnO presentan un crecimiento policristalino con estructura hexagonal tipo wurtzita, pero con orden cristalográfico en la dirección [001]. La microestructura granular, observada por los análisis de microscopía de fuerza atómica, revela también el carácter cristalino y la homogeneidad morfológica del óxido semiconductor en la superficie. A través del análisis topográfico por AFM, hemos observado que la rugosidad de la superficie está condicionada por varios factores experimentales, como el tiempo de exposición a los precursores y el tiempo en que se produce la evacuación de los residuos. Los valores de resistividad, concentración y movilidad de portadores son comparables a los obtenidos en otros trabajos, y asegura la calidad cristalina de las muestras. In this work, the results on the growth of ultrathin films using the Atomic Layer Deposition technique are reported. ZnO ultra-thin films show a polycrystalline growth with a hexagonal structure wurtzite type but with an evident crystallographic order through the [001] direction. AFM analyses also show a granular microstructure which reveals the crystalline character and the morphologic homogeneity of the semiconductor oxide. Trough the topographical analysis developed by AFM, we have observed that roughness of the surface has a clear dependence with some of the experimental parameters as the exposure time with the precursors and the purge time in which the residues are removed. The resistivity values, concentration and carrier movility are comparable with those reported in other works. This confirm us the crystallography quality of the samples