Caracterización estructural y química de Siliciuros de Co-Ni preparados ablación de láser pulsado: un estudio experimental y teórico

Por medio de la técnica de depósito de láser pulsado (PLD), se prepararon películas delgadas de Co- Ni/p-Si depositadas sobre sustratos de Si (100). Las muestras se sometieron a tratamientos térmicos en vacío para promover la formación de siliciuros. De los análisis realizados con XPS se detectaron corrimientos químicos para las transiciones del Co2p y Si2p, las cuales son energías de enlace características de siliciuros, en el rango de 778.3-778.6 eV y 853.2-853.6 eV, respectivamente. Por medio de microscopía electrónica de alta resolución (HRTEM) se identificaron regiones nanocristalinas de estructuras de CoSi2, Ni2Si y NiSi2. Los resultados experimentales se complementan con cálculos teóricos de densidad de estados (DOS). Los cálculos se llevaron a cabo utilizando la Teoría extendida de aproximación de Hückel (EHT)