Darbā tika pētītas Aldrich firmā ražota h-BN pulvera spektrālās īpašības. Šis h-BN pulveris tika lietots kā izejmateriāls bora nitrīda nanomateriālam (h-BN-NTs), kas sastāv no vienas sieniņas un daudzsieniņu BN nanocaurulēm un neliela daudzuma izejmateriāla makroizmēra graudiem. h-BN-NTs nanomateriāla un Baltkrievijā ražota h-BN makroizmēru pulvera spektrālās īpašības nesen tika pētītas mūsu laboratorijā, un pašreizējo darbu var uzskatīt kā tiešu šo iepriekšējo pētījumu turpinājumu. Iepriekš tika atklāts, ka h-BN-NTs materiālā platā 395 nm fotoluminiscences (PL) josla ar savu ierosmes joslu pie 260 nm raksturo nanocauruļu luminiscenci. Tāda pati PL josla tika atklāta h-BN makroizmēru pulverī, kur tā tika piedēvēta nanoarku luminiscencei, ka...
Nanocrystalline hexagonal boron nitride powders (h-BN) were synthesized from urea and boric acid fol...
International audienceHexagonal boron nitride (h-BN) is a wide band gap semiconductor (6.4 eV), whic...
L'étude des propriétés optiques des matériaux semiconducteurs et, notamment, des composés émettant d...
Elektroniskā versija nesatur pielikumusLUMINISCENCES PROCESI DAŽĀDI STRUKTURĒTOS BORA NITRĪDA MATERI...
Thermally stimulated luminescence (TSL) excitation and emission processes in h-BN nanopowders after ...
Darbā tika pētītas alumīnija nitrīta (AlN) nanopulvera spektrālās īpašības, tika izpētīta 420nm lumi...
Nanostructured powder h-BN was studied. PL intensity dependences were analyzed upon excitation in 20...
Bu çalışmada, farklı lantanitler (Eu, Dy, Nd) kullanılararak, lüminesans özellikli NaCa4-2x(BO3)3: x...
Deep ultraviolet (UV) photoluminescence (PL) spectroscopy was employed to study the luminescence pro...
Darbā ir pētīta trīskomponenšu materiāla AlxGa1-xN fotoluminiscence plānām kārtiņam, kas ir sintezēt...
Luminiscenti materiāli tiek plaši izmantoti dažādu sensoru un optisko ierīču izgatavošanā. Lai izvēr...
International audienceWe report on spectroscopic study of pyrolytic hBN (pBN) by means of time- and ...
Since several years, optical properties of semiconductors, and especially of UV emitting materials, ...
Darbā ar ir pētīta AlN nanopulvera un makropulvera luminiscence plašā temperatūru rajonā no 8 K līdz...
Analysis o f the experimental data o f PL thermal quenching in frame of the Mott-Seitz formalism was...
Nanocrystalline hexagonal boron nitride powders (h-BN) were synthesized from urea and boric acid fol...
International audienceHexagonal boron nitride (h-BN) is a wide band gap semiconductor (6.4 eV), whic...
L'étude des propriétés optiques des matériaux semiconducteurs et, notamment, des composés émettant d...
Elektroniskā versija nesatur pielikumusLUMINISCENCES PROCESI DAŽĀDI STRUKTURĒTOS BORA NITRĪDA MATERI...
Thermally stimulated luminescence (TSL) excitation and emission processes in h-BN nanopowders after ...
Darbā tika pētītas alumīnija nitrīta (AlN) nanopulvera spektrālās īpašības, tika izpētīta 420nm lumi...
Nanostructured powder h-BN was studied. PL intensity dependences were analyzed upon excitation in 20...
Bu çalışmada, farklı lantanitler (Eu, Dy, Nd) kullanılararak, lüminesans özellikli NaCa4-2x(BO3)3: x...
Deep ultraviolet (UV) photoluminescence (PL) spectroscopy was employed to study the luminescence pro...
Darbā ir pētīta trīskomponenšu materiāla AlxGa1-xN fotoluminiscence plānām kārtiņam, kas ir sintezēt...
Luminiscenti materiāli tiek plaši izmantoti dažādu sensoru un optisko ierīču izgatavošanā. Lai izvēr...
International audienceWe report on spectroscopic study of pyrolytic hBN (pBN) by means of time- and ...
Since several years, optical properties of semiconductors, and especially of UV emitting materials, ...
Darbā ar ir pētīta AlN nanopulvera un makropulvera luminiscence plašā temperatūru rajonā no 8 K līdz...
Analysis o f the experimental data o f PL thermal quenching in frame of the Mott-Seitz formalism was...
Nanocrystalline hexagonal boron nitride powders (h-BN) were synthesized from urea and boric acid fol...
International audienceHexagonal boron nitride (h-BN) is a wide band gap semiconductor (6.4 eV), whic...
L'étude des propriétés optiques des matériaux semiconducteurs et, notamment, des composés émettant d...