Development of direct current magnetron sputtering process for ZnO:Al transparent conducting thin films deposition with specific properties

Viena no cilvēces šī gadsimta aktuālākām problēmām ir energoresursu patēriņa problēma. Causpīdīgie vadošie oksīdi (TCO) ir materiāls, kas nepieciešams saules bateriju, kā arī tādu ierīču kā plazmas un šķidro kristālu displeji ražošanai. Tādēļ ir svarīgi radīt kvalitatīvu, bet tajā pašā laikā lētu TCO materiālu. Iespējama alternatīva patlaban populāram, bet dārgam TCO uz ar alvu leģēta indija oksīda pamata (ITO) ir ZnO:Al (ZAO) plānas kārtiņas. Šā darba galvenais mērķis ir ZAO plāno kārtiņu ar pietiekamām optiskām un elektriskām īpašībām uzputināšanas tehnoloģijas izstrādāšana, izmantojot līdzstrāvas magnetronu uzputināšanas metodi, ar turpmāko iespēju pārnest šo tehnoloģiju izmantošanai masu ražošanā. Darba gaitā tika izpētītas plāno kārtiņu optiskas, elektriskas, struktūras īpašības, kā arī ZAO plāno kārtiņu virsmas kvalitāte.One of the most actual problems in 21. century is energy consumption problem. Transparent conducting oxides (TCO) are used in solar cell as well as LCD and plasma display production. Therefore, it’s very important to produce a high quality TCO with small costs. Aluminium-doped ZnO (ZAO) thin films are emerging as an alternative candidate to expensive and more commonly used ITO (In2O3:Sn). The purpose of most actual nowadays this work was to find the optimal conditions for preparation ZAO thin films with specified electrical and optical properties using reactive DC-magnetron sputtering method. Study of the structural, optical and electrical properties of the ZAO films, as well as thin films surface quality will be presented