Add to ORKG随着高压开关和高速射频电路的发展，增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流，可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来，国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面: 在材料生长方面，通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的 AIGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层，来控制二维电子气浓度; 在器件工艺方面，采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理，来控制表面电势，影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发，探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向
本文围绕声检测中的集成系统展开研究，将各个独立的模块、功能和信息等集成到相互关联的、统一和协调的系统之中，使资源达到充分共享，实现集中、高效、便利的管理。论文构建了集成环境的框架结构。完成了界面的设计...
本研究发展了不可压流动中涡面场构造及演化的理论框架与数值模拟计算方法,为研究粘性流体的拉格朗日动力学提供了可行方法。该方法拓展了原先仅适用于无粘流的亥姆霍兹涡量定理,并可精确模拟三维Taylor-Gr...
在底质参数反演试验中，真实爆炸声源准确深度很难确定，另外由于水流等因素影响，造成接收垂直阵阵型在小倾斜度范围内的变化，因此有必要研究在这种情况下获取的数据对底质参数反演结果的影响。本文研究声源深度变化...
本文综合报道我们近年来将光子晶格结构运用于InGaN/GaN量子阱发光器件即激光器和发光二极管的研究成果。我们发展了几种独特的在GaN系材料系发光器件上制备光子晶格结构的技术；运用电注入器件的显微电致...
作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的激射．首先采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长．然后在表面沉积高反射介质膜分布布...
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆...
<span>目前AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器表面修饰及分子识别元件固定需在金属或氧化物门电极上进行,针对金属或氧化物门电极的存在增加了器件的制作难度,提高了制作成本,同时...
本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先，通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层，然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次，通过背向曝光技术实现第二次光刻...
利用有限元法，研究了GaN／AlN自组织量子点材料的应变场分布。量子点模型采用了实验观察到的六角平顶金字塔形状，材料的弹性常数考虑了晶体材料的Wurtzite结构特性。在晶格失配处理上，采用了三维各项...
Ⅲ族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国...
采用电流加速的电应力老化方法研究GaN基绿光LED芯片的失效机理。LED芯片在经过60 mA电流老化424 h后,其发光效率总体趋势都是随老化时间增加而减小,但是小测量电流相比于大测量电流的发光效率衰...
随着经验分子力场和基于量子化学计算的分子力场,高精度和高效率有限元算法(如辛算法)和计算机模拟技术的发展和成熟、相应实验数据的丰富,分子模拟的应用由简单模型系统扩展到生物分子和复合材料体系,甚至逐渐被...
增强型（或工程型）地热系统（简称EGS）是指从地下3-10km低渗透岩体中经济开采深层地热的人工热能系统，作为目前地热领域的重要发展方向，其研究受到发达国家的高度重视，但我国还基本处于空白。在EGS运...
棵间土壤蒸发是塔克拉玛干沙漠公路防护林耗水的重要组成部分。应用Ｍｉｃｒｏ－Ｌｙｓｉｍｅｔｅｒｓ测定了１个灌溉周期内咸水滴灌下距林木不同位置处的土壤蒸发量。分析了土壤蒸发与水面蒸发的关系，通过一维平差处...
塑料和纤维增强塑料极低的热传导系数使它具备了应用热象技术研究形变过程的特殊的有利条件。本文简要叙述了用红外热象技术研究聚丙烯、聚碳酸脂及短纤维增强聚丙烯拉伸形变过程的研究结果。用上述材料注射成标准拉...
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