Add to ORKG低温下，在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN (LT-GaN)缓冲层，并对其表面形貌进行了细致的观察，发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温GaN缓冲层生长了n型GaN(n-GaN)，发现过厚或者过薄的缓冲层都会对n-GaN晶体质量产生负面影响，并结合初始成核阶段进行了原因分析。制备了基于不同厚度的n-GaN的发光二极管(LED)样品，分析了GaN晶体质量对LED输出功率的影响。同时发现，晶体质量较差的时候，光提取效率可能主导着对LED器件性能的影响
利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地...
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆...
本发明公开了一种蓝宝石谐振腔主动型原子钟及其蓝宝石谐振腔的制造方法。所述蓝宝石谐振腔主动型原子钟，包括蓝宝石谐振腔，所述蓝宝石谐振腔的蓝宝石筒外壁半径b与外金属腔筒壁半径a之间的比0.5≤ρ1≤0.5...
采用氢化物气相外延（HVPE）方法，以蓝宝石作衬底，分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN。模板上的GaN生长表面平整、光亮，但开裂严重，其（0002）的双晶衍射半高宽最低为14...
本发明提供一种LED结构及其制备方法，属于光电器件领域。该LED结构包括n-GaN层、多量子阱层和p-GaN层，n-GaN层为出光面，本发明在非出光面的p-GaN层或与p-GaN层接触的透明电极表面上...
运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压MOCVD方法外延生长的GaN蓝光二极管的杂质发光光谱。研究结果表明近场光谱能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息，为研究样品表面微观发光机理提供了一个有...
利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质蛄，辐照剂量分别为1×1015／cm2和5×1015／cm2。电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐ZI(剂量...
分别用稀盐酸、王水以及(NH_4)_2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层，以此为材料，制作了暗电流很小的金属半导体金属（MSM）结紫外光探测器，测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...
GaN和由其衍生出的多种Ⅲ族氮化物都是直接跃迁型的宽带隙材料,禁带宽度可在1.9-6.2eV之间连续调节,能量范围覆盖了从可见光到紫外的波段,且发光效率高,是当前国内外半导体材料研究的重点。GaN基材...
微结构直接影响着材料的物理性质.半导体及高温超导体的微结构的实验和理论研究,对于深入了解其物理性质和机理,改善材料性能,都有着重要的意义.该文主要介绍作者在GaN薄膜和Y123高温超归体两个方向结构研...
研究了GaN肖特基结构(n~--GaN /n~+-GaN)紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理.模拟计算结果表明:提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率,不仅可以增加器件的量子效率,而且可以极大地减...
本文综合报道我们近年来将光子晶格结构运用于InGaN/GaN量子阱发光器件即激光器和发光二极管的研究成果。我们发展了几种独特的在GaN系材料系发光器件上制备光子晶格结构的技术；运用电注入器件的显微电致...
测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的电流-电压(I-V)特性曲线,其六个对应区域--反向偏压区、正向漏电流区、产生-复合电流区、扩散电流区、大注入区和串联电阻区...
采用电流加速的电应力老化方法研究GaN基绿光LED芯片的失效机理。LED芯片在经过60 mA电流老化424 h后,其发光效率总体趋势都是随老化时间增加而减小,但是小测量电流相比于大测量电流的发光效率衰...
利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地...
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