Add to ORKG采用不同的化学腐蚀方法，探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响，提出氨水系列，进行晶片化学腐蚀，晶片厚度均匀性11.47%，为下步工艺提供平整度较好的晶片
利用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷，而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异...
报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊...
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...
早稲田大学理学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙639号 ; 学位の種類:理学博士 ; 授与年月日:1987-10-15 ; 早大学位記番号:新1376 ; 理工学図書館請求番号:1172thesi
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是以分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的产业化进展
我们利用光学衍射仪对离子注入后GaAs中晶态区与非晶态区界面的高分辨晶格象进行了分析。得到了界面附近结构变化的初步结果。由非晶态区到晶态区存在如下五个区域:非晶区;晶核与低维有序区;多晶区;单晶畸变区...
4d过渡杂质Mo、Pd在GaAs中分别引入E（0．42eV）、H（0．61eV）和E（0．66eV）、H（0．69eV）等能级。根据过渡杂质Mo和Pd在GaAs中的光电行为, 推测这些杂质在GaAs中...
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新...
GaAs 的离子注入已被广泛地应用在半导体器件制作中。由于 GaAs 电子有效质量只是 Si 的7%,而且它的能带间隙比 Si 要宽,因而它被广泛地应用在高速集成电路、光电器件、激光器件中。
在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As_2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长In...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1358号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2633 ; 理工学図書館請求番号:2214t...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙895号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1992-06-18 ; 早大学位記番号:新1822 ; 理工学図書館請求番号:1555t...
報告番号: 乙13197 ; 学位授与年月日: 1997-02-13 ; 学位の種別: 論文博士 ; 学位の種類: 博士(工学) ; 学位記番号: 第13197号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子...
制度:新 ; 文部省報告番号:甲1529号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2001/3/15 ; 早大学位記番号:新3118 ; 理工学図書館請求番号:2550本文PDFは平成22年度...
成功研制了光子晶体垂直腔面发射激光器，实现了连续电注入激射，工作波长为850nm，最小阈值为2mA，最大阈值为13．5mA，其中光子晶体的晶格常数在0．5～3μm范围，占空比在0.3～0．7范围．发现...
利用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷，而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异...
报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊...
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...
早稲田大学理学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙639号 ; 学位の種類:理学博士 ; 授与年月日:1987-10-15 ; 早大学位記番号:新1376 ; 理工学図書館請求番号:1172thesi
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是以分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的产业化进展
我们利用光学衍射仪对离子注入后GaAs中晶态区与非晶态区界面的高分辨晶格象进行了分析。得到了界面附近结构变化的初步结果。由非晶态区到晶态区存在如下五个区域:非晶区;晶核与低维有序区;多晶区;单晶畸变区...
4d过渡杂质Mo、Pd在GaAs中分别引入E（0．42eV）、H（0．61eV）和E（0．66eV）、H（0．69eV）等能级。根据过渡杂质Mo和Pd在GaAs中的光电行为, 推测这些杂质在GaAs中...
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新...
GaAs 的离子注入已被广泛地应用在半导体器件制作中。由于 GaAs 电子有效质量只是 Si 的7%,而且它的能带间隙比 Si 要宽,因而它被广泛地应用在高速集成电路、光电器件、激光器件中。
在分子束外延系统中,利用3 nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500℃以及As_2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环.这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长In...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1358号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2633 ; 理工学図書館請求番号:2214t...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙895号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1992-06-18 ; 早大学位記番号:新1822 ; 理工学図書館請求番号:1555t...
報告番号: 乙13197 ; 学位授与年月日: 1997-02-13 ; 学位の種別: 論文博士 ; 学位の種類: 博士(工学) ; 学位記番号: 第13197号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子...
制度:新 ; 文部省報告番号:甲1529号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2001/3/15 ; 早大学位記番号:新3118 ; 理工学図書館請求番号:2550本文PDFは平成22年度...
成功研制了光子晶体垂直腔面发射激光器，实现了连续电注入激射，工作波长为850nm，最小阈值为2mA，最大阈值为13．5mA，其中光子晶体的晶格常数在0．5～3μm范围，占空比在0.3～0．7范围．发现...
利用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷，而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异...
报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊...
报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/...