Add to ORKGSi基光电子集成（OEIC）光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径
早稲田大学工学博士制度:新 ; 文部省報告番号:甲838号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-03-8 ; 早大学位記番号:新1604 ; 理工学図書館請求番号:1360thesi
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道...
本文利用MOCVD在SiO_2/Si(111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列,同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应，研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器．器件的平顶宽度为2nm，3dB带宽为4．4nm，自由谱宽约为8．5nm，在外加电场作用下，...
早稲田大学工学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙783号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-03-08 ; 早大学位記番号:新1628 ; 理工学図書館請求番号:1394thesi
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
Si／SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源，突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制。Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响。文章介绍了Si/...
采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入...
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
SI単位系に基づいた量関係式処理手続を電磁気学の分野に適用し，E-H対応・有理化系（SI）での電磁気学諸法則を規準に据えて，この規準体系から，E-H対応・非有理化系（CGS静電単位系，CGS電磁単位系...
報告番号: 甲07723 ; 学位授与年月日: 1988-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 工学博士 ; 学位記番号: 博工第2214号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工...
早稲田大学工学博士制度:新 ; 文部省報告番号:甲838号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-03-8 ; 早大学位記番号:新1604 ; 理工学図書館請求番号:1360thesi
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道...
本文利用MOCVD在SiO_2/Si(111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列,同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应，研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器．器件的平顶宽度为2nm，3dB带宽为4．4nm，自由谱宽约为8．5nm，在外加电场作用下，...
早稲田大学工学博士制度:新 ; 文部省報告番号:乙783号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-03-08 ; 早大学位記番号:新1628 ; 理工学図書館請求番号:1394thesi
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
Si／SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源，突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制。Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响。文章介绍了Si/...
采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入...
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
SI単位系に基づいた量関係式処理手続を電磁気学の分野に適用し，E-H対応・有理化系（SI）での電磁気学諸法則を規準に据えて，この規準体系から，E-H対応・非有理化系（CGS静電単位系，CGS電磁単位系...
報告番号: 甲07723 ; 学位授与年月日: 1988-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 工学博士 ; 学位記番号: 博工第2214号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工...
早稲田大学工学博士制度:新 ; 文部省報告番号:甲838号 ; 学位の種類:工学博士 ; 授与年月日:1990-03-8 ; 早大学位記番号:新1604 ; 理工学図書館請求番号:1360thesi
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道...
本文利用MOCVD在SiO_2/Si(111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列,同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。