Add to ORKG分析了SOI（silicon-on-insulator）2×2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响。采用二维半导器件模拟器PISCES－Ⅱ对器件进行模块。结果表明，热光效应对等离子色散效应的影响与调制区长度密切相关，当调制区长度较短时，热光效应的影响不容忽视；当调制区长度大于500μm时，这种影响可以忽略不
采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一...
近年来,由于发展新型微电子器件的需要及强流离子注入机的发展,使一种崭新的离子束合成接术,即高剂量(10~(17)-10~(18)/cm~2)的离子注入在硅中形成一层连续的并具有陡峭界面的化合物埋层的技...
本文在分析栅控混合管（ＧＣＨＴ）物理机制的基础上，提出了一种新的计算ＳＯＩ／ＧＣＨＴ集电极电流的解析模型．在同时考虑扩散及漂移电流的基础上，建立了栅控电流模型，确立了表面势与外加基极电压的关系．从而成...
SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器...
SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越...
介绍了不同截面大小的SOI(silicon-on-insulator)波导单模条件,详细描述了几种降低传输损耗,消除偏振相关,提高耦合效率的技术手段.分析比较了一种带有MOS(metal-oxide-...
Silicon-on-insulator (SOI)集成光电子器件的工艺与标准CMOS工艺完全兼容，采用SOI技术可以实现低成本的整片集成光电子回路。文章回顾了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一...
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,印SOI(Silicon on Insulator)技术,是一项近年发展起来研制三维集成电路的新技术。本文讨论了利用扫描电子束对沉积在SiO2上的多晶硅薄膜进行改性的实验,...
基于SOI(silicon on insulator)材料的亚微米尺度电光调制器成为了研究Si光电子学的重点.评述了亚微米尺度下SOI脊型光波导实现单模条件、偏振无关、低耦合损耗的技术要求,分析并比较...
報告番号: ; 学位授与年月日: 2007-03-22 ; 学位の種別: 修士 ; 学位の種類: 修士(科学) ; 学位記番号: 修創域第2025号 ; 研究科・専攻: 新領域創成科学研究科基盤情報学...
采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发...
在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品，并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为．用Raman，DCXRD，RB...
利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布.结果表明,上包层SiO2厚度的减小,有利于开关速度的提高和功耗的减小.增加埋层SiO2的厚度或引入绝缘槽,能有效降低器件功耗,但开关时间随之增加....
设计并制作了阻塞型和完全无阻塞型4×4热光SOI(silicon-on-insulator)波导开关阵列.开关单元采用了多模干涉耦合器(MMI)-MZI(Mach-Zehnder intederome...
绝缘体上的锗硅技术(SiGeonInsulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(StrainedSilicononInsulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是...
采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一...
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近年来,由于发展新型微电子器件的需要及强流离子注入机的发展,使一种崭新的离子束合成接术,即高剂量(10~(17)-10~(18)/cm~2)的离子注入在硅中形成一层连续的并具有陡峭界面的化合物埋层的技...
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