Add to ORKG在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用反射高能电子衍射（RHEED）和扫描电镜（SEM）技术详细研究了Si衬底的碳化过程、碳化层的表面形貌及缺陷结构，获得了界面平整光滑、没有空洞形成的3C-SiC外延材料，并采用X- 射线衍射（XRD)、双晶X- 射线衍射（DXRD）和霍尔(Hall）测试等技术研究了外延材料的结构和电学特性
本文运用 X 射线光电子能谱(XPS)对等离子气相反应制备的 SiC 超细粉末进行了研究,包括测定各元素的内层电子结合能以及它们在各种不同的过程中的化学位移;运用相对灵敏度因子法对表面层的元素组成进行...
SiC/SiC复合材料具有耐高温、抗氧化、耐烧蚀、抗热震等优异性能,是航空航天领域理想的高温结构材料。界面相是影响SiC/SiC复合材料性能的关键因素之一。依据陶瓷基复合材料界面相设计理念的不同,本工...
发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜中纳米硅晶粒（nc-Si）有择优生长的趋势。用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现：掺磷的nc-Si:H薄膜XR...
用LPCVD在si（111）上异质外延了n型3C-SiC，并在所外延的3C-SiC上蒸发Au／Ti，通过不同温度下的RTA（快速热退火）形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti／3C-SiC欧姆接触...
通常GaN、InGaN和AlGaN外延膜是用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长的,近来在Si(111)上生长GaN越来越受到人们的重视。高质量大尺寸硅片容易生成并且价格便宜,更重...
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道...
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜，扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC／p—Si界面平整、光滑，无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC／p...
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强...
Si片标识码在工艺加工管理中起重要作用。传统手写方式存在字体不美观、划痕深及硅渣污染等缺点。鉴于此,采用波长1060 nm光纤激光器进行激光标识码制作。研究中分别改变激光平均输出功率、脉冲频率及扫描速...
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
SiC結晶中シリコン空孔(VSi)の光検出磁気共鳴(ODMR)信号に熱処理温度が及ぼす影響を調べた。600 °Cでの熱処理後、ODMR信号コントラストは最大となった。アニールに対する欠陥の振る舞いと欠...
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si／SiN；超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性，实验结果表...
本文采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构.对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,...
本文运用 X 射线光电子能谱(XPS)对等离子气相反应制备的 SiC 超细粉末进行了研究,包括测定各元素的内层电子结合能以及它们在各种不同的过程中的化学位移;运用相对灵敏度因子法对表面层的元素组成进行...
SiC/SiC复合材料具有耐高温、抗氧化、耐烧蚀、抗热震等优异性能,是航空航天领域理想的高温结构材料。界面相是影响SiC/SiC复合材料性能的关键因素之一。依据陶瓷基复合材料界面相设计理念的不同,本工...
发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜中纳米硅晶粒（nc-Si）有择优生长的趋势。用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现：掺磷的nc-Si:H薄膜XR...
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