Add to ORKG回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及提高Ge量子点尺寸和分布均匀性的各种方法
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
早稲田大学博士(理学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1268号 ; 学位の種類:博士(理学) ; 授与年月日:1997-03-06 ; 早大学位記番号:新2472 ; 理工学図書館請求番号:2111...
報告番号: 甲07723 ; 学位授与年月日: 1988-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 工学博士 ; 学位記番号: 博工第2214号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸.阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
报道了正入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果。测试了它的光电流谱和量子效率。探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段。在1.3μm处量子效率为0.1%。量...
使用Si-MBE生长了阶梯形折射率分布SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分布SiGe/Si电子阱结构有利于提高发光效率。讨论了这种结构的光学和电学特性
本文利用MOCVD在SiO_2/Si(111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列,同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强...
回顾了低能离子注入单晶 Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法 ,介绍了快重离子辐照单晶 Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状 ,并对该领域的研究作了展
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道...
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
早稲田大学博士(理学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1268号 ; 学位の種類:博士(理学) ; 授与年月日:1997-03-06 ; 早大学位記番号:新2472 ; 理工学図書館請求番号:2111...
報告番号: 甲07723 ; 学位授与年月日: 1988-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 工学博士 ; 学位記番号: 博工第2214号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸.阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有...
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:甲1252号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-03-5 ; 早大学位記番号:新2594 ; 理工学図書館請求番号:2187t...
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
报道了正入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果。测试了它的光电流谱和量子效率。探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段。在1.3μm处量子效率为0.1%。量...
使用Si-MBE生长了阶梯形折射率分布SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分布SiGe/Si电子阱结构有利于提高发光效率。讨论了这种结构的光学和电学特性
本文利用MOCVD在SiO_2/Si(111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列,同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强...
回顾了低能离子注入单晶 Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法 ,介绍了快重离子辐照单晶 Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状 ,并对该领域的研究作了展
早稲田大学博士(工学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1067号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1994-12-08 ; 早大学位記番号:新2104 ; 理工学図書館請求番号:1799...
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道...
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
早稲田大学博士(理学)制度:新 ; 文部省報告番号:乙1268号 ; 学位の種類:博士(理学) ; 授与年月日:1997-03-06 ; 早大学位記番号:新2472 ; 理工学図書館請求番号:2111...
報告番号: 甲07723 ; 学位授与年月日: 1988-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 工学博士 ; 学位記番号: 博工第2214号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工...