Add to ORKG用LPCVD在si（111）上异质外延了n型3C-SiC，并在所外延的3C-SiC上蒸发Au／Ti，通过不同温度下的RTA（快速热退火）形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti／3C-SiC欧姆接触的ρc（比接触电阻率）进行测量，在750℃退火后Ti／3C-SiC的ρc达到了最低值为3．68×10^-5Ω·cm^2这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化，更高温度下的退火会使ρc增大
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
采用sn-si熔析体系，利用工业规模多晶硅铸锭炉通过控制温度梯度和热场上移速率进行定向凝固处理，研究硅锭的形貌特征、组织结构和提纯效果。结果表明：在定向凝固过程中析出了连续密实的硅晶，且晶体硅与金属熔...
本发明公开了一种用于乙炔法制备氯乙烯的新型无金属催化剂及其制备和应用。该催化剂为SiC基复合材料，通过控制生长条件和后处理条件，在SiC上生长一薄层不同形貌和化学组成的C层，可直接催化乙炔与氯化氢反应...
在冷壁式不锈钢超高真空系统上，利用低压化学气相淀积（LPCVD）方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅（3C-SiC）外延材料，利用...
SiC結晶中シリコン空孔(VSi)の光検出磁気共鳴(ODMR)信号に熱処理温度が及ぼす影響を調べた。600 °Cでの熱処理後、ODMR信号コントラストは最大となった。アニールに対する欠陥の振る舞いと欠...
作为第三代的半导体材料—SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应...
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络...
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道...
分析了高能Pb27+辐照预注入12C+的和未预注入12C+ 4H-SiC样品在,退火前后傅立叶变换红外光谱和拉曼散射光谱的变化。从傅立叶变换红外光谱可以知道,900℃以上的退火使损伤层发生显著恢复;在...
利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应，研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器．器件的平顶宽度为2nm，3dB带宽为4．4nm，自由谱宽约为8．5nm，在外加电场作用下，...
Si基光电子集成（OEIC）光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径
SI単位系への移行に伴い，量関係式の使用が始まっているが，その取り扱いには未だ十分な注意が為されているとは言い難い。著者は，この量関係式の取り扱い方法を確立し，量演算の規則・注意事項をまとめ，量取り扱...
主要研究了铅离子辐照注碳4H-SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层,波数在960—1 450 cm-1范围内...
Si片标识码在工艺加工管理中起重要作用。传统手写方式存在字体不美观、划痕深及硅渣污染等缺点。鉴于此,采用波长1060 nm光纤激光器进行激光标识码制作。研究中分别改变激光平均输出功率、脉冲频率及扫描速...
用动态方法跟踪观测a-Si:H薄膜原位退火过程中发生的晶化现象,获得晶化形貌的显徽图象,通过对图象的数字采集和计算,得到a-Si:H薄膜样品在不同退火温度下,显徽图像的Sandbox关系曲线。结果表明...
对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高
采用sn-si熔析体系，利用工业规模多晶硅铸锭炉通过控制温度梯度和热场上移速率进行定向凝固处理，研究硅锭的形貌特征、组织结构和提纯效果。结果表明：在定向凝固过程中析出了连续密实的硅晶，且晶体硅与金属熔...
本发明公开了一种用于乙炔法制备氯乙烯的新型无金属催化剂及其制备和应用。该催化剂为SiC基复合材料，通过控制生长条件和后处理条件，在SiC上生长一薄层不同形貌和化学组成的C层，可直接催化乙炔与氯化氢反应...
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主要研究了铅离子辐照注碳4H-SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层,波数在960—1 450 cm-1范围内...
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