利用有限元法,研究了GaN/AlN自组织量子点材料的应变场分布。量子点模型采用了实验观察到的六角平顶金字塔形状,材料的弹性常数考虑了晶体材料的Wurtzite结构特性。在晶格失配处理上,采用了三维各项异性伪热膨胀模型。将基于有限元法的计算结果与简化的基于格林函数理论的解析计算结果进行了比较,验证了模型和计算结论的正确性。最后,讨论了各向异性效应对层间量子点垂直对准的影响,指出量子点材料的各向异性效应可以忽略。本文采用的模型没有采用类似解析计算的假设条件,因此在计算精度和可靠性上,要优于格林函数法
本发明公开了一种GaN基发光二极管及其制造方法,利用有机金属气相沉积技术在衬底上生长出GaN半导体层,该层包括N型氮化镓层,发光区及P型氮化镓层;利用镀膜技术在半导体层上蒸镀一层透明导电层,该蒸镀厚度...
采用硝酸盐一甘氨酸溶液燃烧法合成了La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ(LSCF)前驱粉体,通过XRD、BET、FESEM及激光粒度仪等手段对粉体进行表征.结果表明,所合成的LSCF粉体为...
本发明属于入水实验方法技术领域,针对现有技术中对于长度单位在毫米以及更小的弹体,由于尺寸和空气阻力的影响不能用上述方法高速入水的问题,本发明公开一种基于激光诱导高压等离子体原理驱动小颗粒高速入水的实验...
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵,包括:一衬底;一成核层,该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层,该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层,该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层,该P型欧姆...
本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先,通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层,然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次,通过背向曝光技术实现第二次光刻...
半導体薄膜成長の起点となる表面の原子配置は、結晶品質の良し悪しに影響するため、素子応用の観点からも重要である。特に、窒化ガリウム(GaN)の分子線エピタキシャル(MBE)成長では、反射高速電子線回折(...
采用电流加速的电应力老化方法研究GaN基绿光LED芯片的失效机理。LED芯片在经过60 mA电流老化424 h后,其发光效率总体趋势都是随老化时间增加而减小,但是小测量电流相比于大测量电流的发光效率衰...
高品質GaInN 膜の実現は、GaN マトリックスを用いるこれまでのGaN 系発光デバイスに対し、より幅広いデバイス設計・デバイス応用を可能とする。高品質GaInN膜を実現するためには、格子緩和過程を...
本发明公开了一种GaN单晶设备,包括反应釜,该反应釜外部设有加热器,反应釜上部装接有带阀门的气管,反应釜内设有坩埚,反应釜内放置有晶种模板,其特征在于,所述装置还包括感应线圈机构,该感应线圈机构包括设...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层,以此为材料,制作了暗电流很小的金属半导体金属(MSM)结紫外光探测器,测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...
一种翻身床,包括:床身,其包括床架、设置于床架上的支撑框、设置于支撑框上的床板以及设置于床板上的床垫;所述床垫包括第一插接垫和第二插接垫,所述第一插接垫与第二插接垫相对于床板左右插接配合以使床垫整体呈...
本实用新型公开了一种GaN晶体生长装置,包括高压釜,该高压釜内装设有坩埚,该坩埚内填充有晶体生长溶液,坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶,所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体,GaN籽晶生...
对内径为1.66mm的不锈钢管燃烧室的氢气预混燃烧实验进行了描述,采用红外测温仪测量了燃烧室壁面的温度场分布,获得了不同燃烧热功率下的运行界限.在突扩段内高温回流区的作用下,在带有5mm长突扩段的燃烧...
利用统计降尺度模型SDSM 确定预报因子,建立预报量与预报因子之间的统计关系,用独立的观测资料验证 模型,并将其应用于HadCM3在A2和B2两种排放情景下的输出生成未来气候变化情景,预测了泾河流域未...
宋代以後,君主介入日常政務並掌握決策權力的程度,又較隋唐之時更為提高,集權的傾向也愈加明顯;同時,唐末五代以來官失其守的混亂局面,卻也提供了宋代基於時代需要而重建諫官制度的機會。自北宋發其端,至南宋而...
本发明公开了一种GaN基发光二极管及其制造方法,利用有机金属气相沉积技术在衬底上生长出GaN半导体层,该层包括N型氮化镓层,发光区及P型氮化镓层;利用镀膜技术在半导体层上蒸镀一层透明导电层,该蒸镀厚度...
采用硝酸盐一甘氨酸溶液燃烧法合成了La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ(LSCF)前驱粉体,通过XRD、BET、FESEM及激光粒度仪等手段对粉体进行表征.结果表明,所合成的LSCF粉体为...
本发明属于入水实验方法技术领域,针对现有技术中对于长度单位在毫米以及更小的弹体,由于尺寸和空气阻力的影响不能用上述方法高速入水的问题,本发明公开一种基于激光诱导高压等离子体原理驱动小颗粒高速入水的实验...
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵,包括:一衬底;一成核层,该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层,该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层,该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层,该P型欧姆...
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本实用新型公开了一种GaN晶体生长装置,包括高压釜,该高压釜内装设有坩埚,该坩埚内填充有晶体生长溶液,坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶,所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体,GaN籽晶生...
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