Add to ORKG宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等.最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍
<span>利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形...
该文主要介绍作者在准一维纳米材料的制备、生长条件和生长机制等方面的研究工作.该文首先介绍了利用CVD方法制备超纯GaN纳米线以及Ga&amp;lt;,2&amp;gt;O&am...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层，以此为材料，制作了暗电流很小的金属半导体金属（MSM）结紫外光探测器，测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，...
GaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm...
微结构直接影响着材料的物理性质.半导体及高温超导体的微结构的实验和理论研究,对于深入了解其物理性质和机理,改善材料性能,都有着重要的意义.该文主要介绍作者在GaN薄膜和Y123高温超归体两个方向结构研...
采用有限差分法对GaN基多量子阱(MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟.InGaN和AlGaN材料的折射率分别由修正的Brunner以及Bergmann方法得到.分析了激光器单模特性和远场发散角同器件...
GaN作为一种重要的半导体材料,由于它在蓝光或近紫外光光电器件上的应用前景,日益受到人们的广泛关注。纳米材料(纳米线、量子点、纳米棒等)由于它们本身作为量子限制系统展现一系列崭新的物理性质,而成为低维...
一种GaN基薄膜芯片的制造方法,包括：1)在一蓝宝石衬底上生长外延层,该外延层包括N型层、活性层和P型层；2)在外延层上制作反射层；3)在反射层上涂覆第一树脂层；4)在第一树脂层上粘合第一...
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至...
本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可...
综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响，本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合，之后用MALLO-5000微区激光剥离机剥离蓝宝石得到。调整不同键...
该论文在P型GaN,InGaN/GaN多量子阱研究及计算,InGaN/GaN多量子阱LED;白光LED方面开展了一系列研究工作.1.针对P型氧化物材料获得的困难,研究了Mg掺杂GaN的激活机制.优化并...
<span>利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形...
该文主要介绍作者在准一维纳米材料的制备、生长条件和生长机制等方面的研究工作.该文首先介绍了利用CVD方法制备超纯GaN纳米线以及Ga&amp;lt;,2&amp;gt;O&am...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层，以此为材料，制作了暗电流很小的金属半导体金属（MSM）结紫外光探测器，测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线...
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用....
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，...
GaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm...
微结构直接影响着材料的物理性质.半导体及高温超导体的微结构的实验和理论研究,对于深入了解其物理性质和机理,改善材料性能,都有着重要的意义.该文主要介绍作者在GaN薄膜和Y123高温超归体两个方向结构研...
采用有限差分法对GaN基多量子阱(MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟.InGaN和AlGaN材料的折射率分别由修正的Brunner以及Bergmann方法得到.分析了激光器单模特性和远场发散角同器件...
GaN作为一种重要的半导体材料,由于它在蓝光或近紫外光光电器件上的应用前景,日益受到人们的广泛关注。纳米材料(纳米线、量子点、纳米棒等)由于它们本身作为量子限制系统展现一系列崭新的物理性质,而成为低维...
一种GaN基薄膜芯片的制造方法,包括：1)在一蓝宝石衬底上生长外延层,该外延层包括N型层、活性层和P型层；2)在外延层上制作反射层；3)在反射层上涂覆第一树脂层；4)在第一树脂层上粘合第一...
在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至...
本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可...
综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响，本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合，之后用MALLO-5000微区激光剥离机剥离蓝宝石得到。调整不同键...
该论文在P型GaN,InGaN/GaN多量子阱研究及计算,InGaN/GaN多量子阱LED;白光LED方面开展了一系列研究工作.1.针对P型氧化物材料获得的困难,研究了Mg掺杂GaN的激活机制.优化并...
<span>利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形...
该文主要介绍作者在准一维纳米材料的制备、生长条件和生长机制等方面的研究工作.该文首先介绍了利用CVD方法制备超纯GaN纳米线以及Ga&amp;lt;,2&amp;gt;O&am...
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物公学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层，以此为材料，制作了暗电流很小的金属半导体金属（MSM）结紫外光探测器，测量了该紫外光探测器的暗电流和360n...