Add to ORKG采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO_2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO_2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有较大影响
该论文着重研究了半透明Au膜/ (纳米半导体/纳米SiO<,2>)多层膜/Si结构的电致发光及其特性,其中的纳米半导体/纳米SiO<,2>多膜有...
研究了以正硅酸乙酯（TEOS）、三氯生和γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH-550）为原料制备的缓释型有机/无机复合抗菌材料的耐热性能。采用SEM、FTIR和DSC/TG等方法表征了样品的颗粒形貌、表面基团...
利用等离子增强化学气相沉积技术制备了一组含量不同的氢化非晶氧化硅(a-SiO_x:H)薄膜,室温下在550～900 nm的波长范围内观察到了两个强的发光带:一个是由峰位在670 nm(1.85 eV)...
在SiO_2中掺杂其它原子会导致熔石英SiO_4四面体网络部分破坏,形成缺陷。主要缺陷有非桥氧,E′心和过氧基。非桥氧为仅与一个Si原子(或Ti原子)成单键的O原子。E′心为与三氧配位的Si原子。剩余...
本文提出了一个利用载流子填充电容瞬态初始时间变化率,准确测量在绝缘体与半导体界面上的界面态俘获截面的方法,其中考虑了电荷势反馈效应对载流子填充过程的影响,并给出准确计算这种影响的简单方法.将这一方法用...
关于熔融石英中非桥氧的结构,已有多种报导,并且各自都有自己的不足之处。对于含Ti熔石英来说,也有不少人从事过Raman光谱的研究。但是,由于制备的条件的差别,所得的结果也不相同。我们对含Ti量1％～7...
用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和...
非晶态TiO_2-SiO_2材料,由于Ti的掺杂破坏了均匀的SiO_4四面体网络结构,造成Si—O键和Ti—O键断裂而形成三种缺陷:非桥氧,E′心和过氧基。伴随Si—O断键生成的E′心其能带结构如图1...
采用红外、热重、N2吸附等分析方法,研究了碳化法制备的纳米Si O2表面羟基、孔隙结构和吸油值等随陈化p H值、陈化时间及干燥温度的变化关系。实验结果表明,在不同陈化p H值下Si O2凝聚反应速率不...
高纯熔石英中掺杂TiO_2可使其具有低热膨胀或无膨胀性及特殊的紫外吸收,以实现能量转换,提高红外发射率,因而对其结构研究已受到关注,我们曾用Raman光谱研究了其结构与光谱特性,本文用光电子能谱(ES...
利用TEM、AES、XPS技术分析研究了不同退火气氛对SIMOX材料的影响。结果表明,在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下,在Ar+0.5％O_2中退火,可以获得光滑平整的Si/SiO_2...
向硅酸四乙酯凝胶体系中加入纳米磁性Fe3O4,得到了Fe3O4-SiO2复合材料,利用BET方法测定了其比表面积和孔分布,用TEM分析观察了其粒子形貌,并测定了复合材料的饱和磁强度曲线,研究表明：这种...
该论文系统研究了金属膜/纳米介质膜/Si结构的可见或近红外电致发光,其中的纳米介质膜有如下几种:自然氧化硅,SiO<,2>,SiO<,...
采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导...
先用120 keV的碳离子注入非晶二氧化硅a:SiO2薄膜,再用能量为1 754 MeV的Xe离子辐照。注碳量为5.0×1016—8.6×1017ion/cm2,Xe离子辐照剂量为1.0×1011和5...
该论文着重研究了半透明Au膜/ (纳米半导体/纳米SiO<,2>)多层膜/Si结构的电致发光及其特性,其中的纳米半导体/纳米SiO<,2>多膜有...
研究了以正硅酸乙酯（TEOS）、三氯生和γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH-550）为原料制备的缓释型有机/无机复合抗菌材料的耐热性能。采用SEM、FTIR和DSC/TG等方法表征了样品的颗粒形貌、表面基团...
利用等离子增强化学气相沉积技术制备了一组含量不同的氢化非晶氧化硅(a-SiO_x:H)薄膜,室温下在550～900 nm的波长范围内观察到了两个强的发光带:一个是由峰位在670 nm(1.85 eV)...
在SiO_2中掺杂其它原子会导致熔石英SiO_4四面体网络部分破坏,形成缺陷。主要缺陷有非桥氧,E′心和过氧基。非桥氧为仅与一个Si原子(或Ti原子)成单键的O原子。E′心为与三氧配位的Si原子。剩余...
本文提出了一个利用载流子填充电容瞬态初始时间变化率,准确测量在绝缘体与半导体界面上的界面态俘获截面的方法,其中考虑了电荷势反馈效应对载流子填充过程的影响,并给出准确计算这种影响的简单方法.将这一方法用...
关于熔融石英中非桥氧的结构,已有多种报导,并且各自都有自己的不足之处。对于含Ti熔石英来说,也有不少人从事过Raman光谱的研究。但是,由于制备的条件的差别,所得的结果也不相同。我们对含Ti量1％～7...
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利用TEM、AES、XPS技术分析研究了不同退火气氛对SIMOX材料的影响。结果表明,在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下,在Ar+0.5％O_2中退火,可以获得光滑平整的Si/SiO_2...
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利用等离子增强化学气相沉积技术制备了一组含量不同的氢化非晶氧化硅(a-SiO_x:H)薄膜,室温下在550～900 nm的波长范围内观察到了两个强的发光带:一个是由峰位在670 nm(1.85 eV)...