Add to ORKG文章综述了国内外光耦合器的最新研究进展，着重介绍了目前耦合效率最高（55％），且与偏振无关的双光栅辅助定向耦合器的工艺流程、结构性能以及进一步提高耦合效率的可行性
介绍了不同截面大小的SOI(silicon-on-insulator)波导单模条件,详细描述了几种降低传输损耗,消除偏振相关,提高耦合效率的技术手段.分析比较了一种带有MOS(metal-oxide-...
采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为1.5509μm、信道间隔为200GHz的5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差0.28nm,测试波长间隔与设计值相差在0.02n...
10个杂交大豆品种的种子超氧物歧化酶(SOD)比活力,低于父母本或介于其父母本之间。杂交品种与父本呈低度正相关,与母本呈中度负相关。18个大豆品种种子SOD比活力与大豆油分含量呈极显著负相关,与蛋白质...
光子晶体光波导由于其优越的光子局域化性能，因此可以实现任意的弯曲，从而大大减小了集成光路的体积。特别是以SOI材料为基础的光子晶体光波导以其小型化、低损耗的优势而备受人们的关注。介绍了几种类型的SOI...
本文较为系统地描述了SOI技术的特点,分析了SOI技术中存在的问题和发展的潜力,最后得出了SOI技术将在特征尺寸小于0.1微米、电源电压小于1V的新一代集成电路技术中得到广泛采用。
采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一...
本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不...
采用有效折射率和转移矩阵理论相结合的方法得到了SOI梯形光波导的本征模方程。计算得到的有效折射率与WKB法相比误差不超过10~(-5)，其垂直方向电场分布与BPM模拟结果基本相符。首次得到了SOI梯形...
报道了SOI基亚微米小尺寸波导光栅器件的设计、制作与测试结果.提出了波导与光栅同步制作的方案,避免了套刻,节约了成本.实验中采用电子束光刻(EBL)、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀等先进半导体工艺技术...
用有效折射率方法对SOI(绝缘体上硅)及GeSi/Si脊形光波导的单模条件进行了模拟，与Soref的单模条件进行了比较，将两者与实验结果进行了比较，得到了与实验结果符合得非常好的单模条件。同时对多模波...
利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底. Raman 光...
数值模拟了增益钳制SOA(GC-SOA)的波长转换过程,分析了GC-SOA实现波长转换的原理.首次发现了GC-SOA波长转换中类似接通延迟的现象,这种现象将限制GC-SOA在高速波长转换中的应用
我们采用质量分离的低能离子束工艺,继在无SiO_2图形的Si衬底上实现了CoSi_2的外延之后,又在有SiO_2图形的Si衬底上作了CoSi_2选择生长的进一步研究。
该研究改变了从外周线索化靶子出现这段时间(SOA) 中包含的4个成分(外周线索化时间,间隔I,中心线索化时间,间隔II)的长短,从而改变注意的投入、脱离和转移过程,从注意的动态运动角度来探讨反回抑制的...
通过在单层和分层饱和土中的模型试验,考察了吸力式桶型基础在静荷载下的承载力特性。分别得到了在竖向荷载,横向荷载下的载荷位移曲线,分层土条件下的承载力特性,以及承载力随密度的变化
介绍了不同截面大小的SOI(silicon-on-insulator)波导单模条件,详细描述了几种降低传输损耗,消除偏振相关,提高耦合效率的技术手段.分析比较了一种带有MOS(metal-oxide-...
采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为1.5509μm、信道间隔为200GHz的5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差0.28nm,测试波长间隔与设计值相差在0.02n...
10个杂交大豆品种的种子超氧物歧化酶(SOD)比活力,低于父母本或介于其父母本之间。杂交品种与父本呈低度正相关,与母本呈中度负相关。18个大豆品种种子SOD比活力与大豆油分含量呈极显著负相关,与蛋白质...
光子晶体光波导由于其优越的光子局域化性能，因此可以实现任意的弯曲，从而大大减小了集成光路的体积。特别是以SOI材料为基础的光子晶体光波导以其小型化、低损耗的优势而备受人们的关注。介绍了几种类型的SOI...
本文较为系统地描述了SOI技术的特点,分析了SOI技术中存在的问题和发展的潜力,最后得出了SOI技术将在特征尺寸小于0.1微米、电源电压小于1V的新一代集成电路技术中得到广泛采用。
采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一...
本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不...
采用有效折射率和转移矩阵理论相结合的方法得到了SOI梯形光波导的本征模方程。计算得到的有效折射率与WKB法相比误差不超过10~(-5)，其垂直方向电场分布与BPM模拟结果基本相符。首次得到了SOI梯形...
报道了SOI基亚微米小尺寸波导光栅器件的设计、制作与测试结果.提出了波导与光栅同步制作的方案,避免了套刻,节约了成本.实验中采用电子束光刻(EBL)、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀等先进半导体工艺技术...
用有效折射率方法对SOI(绝缘体上硅)及GeSi/Si脊形光波导的单模条件进行了模拟，与Soref的单模条件进行了比较，将两者与实验结果进行了比较，得到了与实验结果符合得非常好的单模条件。同时对多模波...
利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底. Raman 光...
数值模拟了增益钳制SOA(GC-SOA)的波长转换过程,分析了GC-SOA实现波长转换的原理.首次发现了GC-SOA波长转换中类似接通延迟的现象,这种现象将限制GC-SOA在高速波长转换中的应用
我们采用质量分离的低能离子束工艺,继在无SiO_2图形的Si衬底上实现了CoSi_2的外延之后,又在有SiO_2图形的Si衬底上作了CoSi_2选择生长的进一步研究。
该研究改变了从外周线索化靶子出现这段时间(SOA) 中包含的4个成分(外周线索化时间,间隔I,中心线索化时间,间隔II)的长短,从而改变注意的投入、脱离和转移过程,从注意的动态运动角度来探讨反回抑制的...
通过在单层和分层饱和土中的模型试验,考察了吸力式桶型基础在静荷载下的承载力特性。分别得到了在竖向荷载,横向荷载下的载荷位移曲线,分层土条件下的承载力特性,以及承载力随密度的变化
介绍了不同截面大小的SOI(silicon-on-insulator)波导单模条件,详细描述了几种降低传输损耗,消除偏振相关,提高耦合效率的技术手段.分析比较了一种带有MOS(metal-oxide-...
采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为1.5509μm、信道间隔为200GHz的5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差0.28nm,测试波长间隔与设计值相差在0.02n...
10个杂交大豆品种的种子超氧物歧化酶(SOD)比活力,低于父母本或介于其父母本之间。杂交品种与父本呈低度正相关,与母本呈中度负相关。18个大豆品种种子SOD比活力与大豆油分含量呈极显著负相关,与蛋白质...