Add to ORKG采用氢化物气相外延（HVPE）方法，以蓝宝石作衬底，分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN。模板上的GaN生长表面平整、光亮，但开裂严重，其（0002）的双晶衍射半高宽最低为141；蓝宝石衬底上直接生长GaN外延层质量较差，其双晶衍射半高宽为168ff，但不发生开裂，HCl的载气流量对预反应有很大的影响，应力产生于外延层和衬底之间的界面处，界面孔洞的存在可以释放应力，减少开裂，光致发光（PL）谱中氧杂质引起强黄光发射
利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质蛄，辐照剂量分别为1×1015／cm2和5×1015／cm2。电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐ZI(剂量...
本发明公开了一种GaN单晶设备，包括反应釜，该反应釜外部设有加热器，反应釜上部装接有带阀门的气管，反应釜内设有坩埚，反应釜内放置有晶种模板，其特征在于，所述装置还包括感应线圈机构，该感应线圈机构包括设...
半導体薄膜成長の起点となる表面の原子配置は、結晶品質の良し悪しに影響するため、素子応用の観点からも重要である。特に、窒化ガリウム（GaN）の分子線エピタキシャル（MBE）成長では、反射高速電子線回折（...
低温下，在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN (LT-GaN)缓冲层，并对其表面形貌进行了细致的观察，发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温...
一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器...
本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，在蓝宝石衬底上依次向上生长有GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源层、p型ALGaN载流子阻挡层及p型GaN层，所述...
运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压MOCVD方法外延生长的GaN蓝光二极管的杂质发光光谱。研究结果表明近场光谱能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息，为研究样品表面微观发光机理提供了一个有...
本发明提供一种LED结构及其制备方法，属于光电器件领域。该LED结构包括n-GaN层、多量子阱层和p-GaN层，n-GaN层为出光面，本发明在非出光面的p-GaN层或与p-GaN层接触的透明电极表面上...
利用有限元法，研究了GaN／AlN自组织量子点材料的应变场分布。量子点模型采用了实验观察到的六角平顶金字塔形状，材料的弹性常数考虑了晶体材料的Wurtzite结构特性。在晶格失配处理上，采用了三维各项...
高品質GaInN 膜の実現は、GaN マトリックスを用いるこれまでのGaN 系発光デバイスに対し、より幅広いデバイス設計・デバイス応用を可能とする。高品質GaInN膜を実現するためには、格子緩和過程を...
一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括:一衬底;一成核层，该成核层生长在衬底上;一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上;一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上;一P型欧姆接触层，该P型欧姆...
本发明提供了一种绿光发光二极管，包括含一插入层的InxGa1-xN/GaN多量子阱，其中0.15≤x≤0.35。所述插入层是InyGa1-yN，其中x＜y≤1或是AlyGa1-yN，其中0＜y≤1或是...
采用双晶X射线衍射（DC－XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因。发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲。采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层，发...
本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可...
利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极。电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地...
利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质蛄，辐照剂量分别为1×1015／cm2和5×1015／cm2。电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐ZI(剂量...
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半導体薄膜成長の起点となる表面の原子配置は、結晶品質の良し悪しに影響するため、素子応用の観点からも重要である。特に、窒化ガリウム（GaN）の分子線エピタキシャル（MBE）成長では、反射高速電子線回折（...
低温下，在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN (LT-GaN)缓冲层，并对其表面形貌进行了细致的观察，发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温...
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