Add to ORKG采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是ON与VGa所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延层的上层晶体质量比较好,界面附近比较差,但是外延层与衬底的结合强度较高,临界载荷达到2.05 N
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
N-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽隙带(Eg=9eV)N-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,N-SiOxNy的形成效率...
用LPCVD在si（111）上异质外延了n型3C-SiC，并在所外延的3C-SiC上蒸发Au／Ti，通过不同温度下的RTA（快速热退火）形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti／3C-SiC欧姆接触...
通常GaN、InGaN和AlGaN外延膜是用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长的,近来在Si(111)上生长GaN越来越受到人们的重视。高质量大尺寸硅片容易生成并且价格便宜,更重...
采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与Si衬底厚度和背面氧化层厚度的关系进行了系统的分析;在此基础上,应用全矢量有限差分束传播法(FD-BPM) 对应力光波导的双折射进行了分析.结果表明...
采用绝缘层上Si(SOI)材料设计制备了3×5纳米线阵列波导光栅(AWG),器件大小为110μm×100μm.利用简单传输法模拟了器件的传输谱,并采用二维时域有限差分(FDTD)模拟中心通道输出光场的...
采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着...
本文利用MOCVD在SiO_2/Si(111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列,同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
Si片标识码在工艺加工管理中起重要作用。传统手写方式存在字体不美观、划痕深及硅渣污染等缺点。鉴于此,采用波长1060 nm光纤激光器进行激光标识码制作。研究中分别改变激光平均输出功率、脉冲频率及扫描速...
该文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/SI超晶格的结构和其光致发光性质。图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成。发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现。对相同条...
由于Ⅲ-V族材料的能带特点,无应变或压应变量子阱激光器发出的通常为TE模式的光,而TM模式的光有包括偏振复用在内的多种应用前景。为此,我们采用了表面等离基元超材料,基于一种全新的偏振转换原理,制作了以...
SI単位系への移行に伴い，量関係式の使用が始まっているが，その取り扱いには未だ十分な注意が為されているとは言い難い。著者は，この量関係式の取り扱い方法を確立し，量演算の規則・注意事項をまとめ，量取り扱...
用稀士熔盐电解法及熔盐直接反应法对Al-Si液态共晶合金分别定量添加了La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Ho,Er和Y共十一个单一稀土以及一个混合稀土的变质剂。通过显微结构分析系统地研究...
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si／SiN；超晶格材料。利用吸收光谱和X射线衍射对材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性，实验结果表...
该论文系统研究了金属膜/纳米介质膜/Si结构的可见或近红外电致发光,其中的纳米介质膜有如下几种:自然氧化硅,SiO<,2>,SiO<,...
简要地介绍了单晶 Si中注入掺杂原子在热激活退火中发生的瞬间增强扩散现象 ,综述了该现象发生的可能的微观机制和目前提出的几种抑制方法 ,展望了高能重离子在该领域的应用前
N-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽隙带(Eg=9eV)N-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,N-SiOxNy的形成效率...
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