Sposób zwiększenia powierzchni aktywnej złącza p-n cienkowarstwowych baterii słonecznych wytwarzanych metodą sputeringu plazmowego : opis patentowy nr 219163

Wynalazek dotyczy sposobu zwiększenia powierzchni aktywnej złącza p-n cienkowarstwowych baterii słonecznych wytwarzanych metodą sputeringu plazmowego, który polega na wsunięciu przy końcowym etapie formowania z rozpylanego materiału katody bazy typu p półprzewodnikowego fotoogniwa, równolegle nad jej powierzchnię przesłony ze złotej siatki, zasilanej impulsowo poprzez elektrodę napięciem o regulowanym współczynniku wypełnienia a następnie, po zakończeniu procesu tworzenia bazy, wysunięciu jej znad powierzchni warstwy i zamienieniu rozpylanego materiału katody na półprzewodnik typu n, stanowiący emiter fotoogniwa, przy czym katoda i anoda umieszczone są w komorze próżniowej i zasilane są wysokim napięciem za pomocą zasilacza.Wynalazek dotyczy sposobu zwiększenia powierzchni aktywnej złącza p-n cienkowarstwowych baterii słonecznych wytwarzanych metodą sputeringu plazmowego, który polega na wsunięciu przy końcowym etapie formowania z rozpylanego materiału katody bazy typu p półprzewodnikowego fotoogniwa, równolegle nad jej powierzchnię przesłony ze złotej siatki, zasilanej impulsowo poprzez elektrodę napięciem o regulowanym współczynniku wypełnienia a następnie, po zakończeniu procesu tworzenia bazy, wysunięciu jej znad powierzchni warstwy i zamienieniu rozpylanego materiału katody na półprzewodnik typu n, stanowiący emiter fotoogniwa, przy czym katoda i anoda umieszczone są w komorze próżniowej i zasilane są wysokim napięciem za pomocą zasilacza