CMOS 多頻帶低雜訊放大器晶片之研製

[[abstract]]本論文針對超寬頻、WiMAX以及WCDMA通訊系統規格設計了三顆CMOS低雜訊放大器，第一顆為應用於2-6GHz之寬頻低雜訊放大器，第二顆為應用於WCDMA 2GHz低雜訊放大器，第三顆為多頻帶2-7GHz低雜訊放大器，均使用台灣積體電路製造公司(TSMC)0.18μm CMOS 製程設計完成。以上晶片均透過國家系統晶片設計中心(Chip Implementation Center, CIC)下線製造。亦透過台南及新竹科學園區CIC高頻量測系統量測完成。 本論文所設計的放大器晶片，對於第一顆所設計的放大器是完全工作的，在1.2V工作電壓下，有18mA的電流，功率消耗為22mW，量測的數據與模擬的數據非常符合；而第二顆放大器因製程變異使得CMOS進入截止區，所以是一顆失敗的晶片；第三顆放大器則是在正常偏壓下有著正常的工作電流，因為電路對極間匹配電容有很強的敏感度，使得佈局時走線效應影響電路特性，其特性與實際模擬差異甚大，此晶片應可在電路佈局中改善