Microespectroscopía de materiales optoelectrónicos: silicio poroso y microcavidades de GaAs/AlGaAs

Tesis Doctoral inédita leída en la Universidad Autónoma de Madrid, Departamento de Física de Materiales. Fecha de lectura: 21-11-2002En este trabajo se estudian por microespeciroscopia Raman y microfotoluminiscencia dos materiales semiconductores nanoestructurados con interks en optoelectcónica: el silicio poroso y las microcavidades de GaAs/- AlGaAs. En el silicio poroso, se estudia el aumento de temperatura que produce el calentamiento inducido por el láser, la estabilidad de la fotoluminiscencia en función de la temperatura, la tensión mecánica en la región cercana a la intercara con el sustnito de silicio, y las propiedades de multicapas. En las microcavidades, los estudios en una sección ttansversal permiten caracterizar cada capa. Por último, medidas en la dirección de crecimiento estudian los efectos de acoplamiento presentes en el interior de la cavidad, comparando el desdoblamiento Rabi obtenido para una cavidad formada por pozos cuinticos aislados y una superred, respectivamenteWe have characterized two nanostructured semiconductor materials interesting in optoelectronics using micro-Ramm spectroscopy and microphotoluminescence: porous silicon and GaAsíAlGaAs microcavities. In porous silicon, we have studied the temperature rise due to laser heating effects, the photoluminescence stability as a function of the temperature, the mechanical stress near the interface with silicon substrate, and the propetties of multilayers. in microcavities, cross-section studies characterize each layer. At the end, measurements in the growth direction shidy the coupling effects in the cavim comparíng Rabi spiitting for a cavity with isolated quantum welis and a superlattice, respectively