Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers

IR-Fourier spectroscopy was used to study structural changes in γ-irradiated high density polyethylene composites with GaAs and GaAs semiconductor fillers at room temperature. From the dose dependence of the crystallinity degree of the HDPE/GaAs and HDPE/GaAs composites, it was found that the HDPE/GaAs composites are more radiation-resistant in the absorbed dose region Φγ = 5…150 kGy compared to the HDPE/GaAs composites. The observed change in the degree of crystallinity is associated with a change in the supramolecular structure of γ-irradiated composites.Метод ІЧ-фур’є-спектроскопії застосовано при вивченні структурних змін у γ-опромінених композитах поліетилену високої щільності (ПЕВЩ) з напівпровідниковими наповнювачами GaAs і GaAs при кімнатній температурі. За дозовою залежністю ступеня кристалічності композитів ПЕВЩ/GaAs і ПЕВЩ/GaAs встановлено, що композити ПЕВЩ/GaAs у порівнянні з композитами ПЕВЩ/GaAs є більш радіаційно-стійкими в області поглиненої дози Φγ = 5…150 кГр. Спостережувані зміни ступеня кристалічності пов’язані зі зміною надмолекулярної структури γ-опромінених композитів.Метод ИК-фурье-спектроскопии применен при изучении структурных изменений в γ-облученных композитах полиэтилена высокой плотности (ПЭВП) с полупроводниковыми наполнителями GaAs и GaAs при комнатной температуре. По дозовой зависимости степени кристалличности композитов ПЭВП/GaAs и ПЭВП/GaAs установлено, что композиты ПЭВП/GaAs по сравнению с композитами ПЭВП/GaAs являются более радиационно стойкими в области поглощенной дозы Φγ = 5…150 кГр. Наблюдаемые изменения степени кристалличности cвязаны с изменением надмолекулярной структуры γ-облученных композитов