Development of the high stability and high resolution CdTe radiation detector by the control of the CdTe crystal surface

2007年度～2008年度科学研究費補助金（若手研究(B)）研究成果報告書研究概要：本研究では，CdTe半導体の結晶表面制御技術と電極形成技術の研究開発を行った．従来，Inがショットキー電極として用いられてきたが，Alがショットキー電極として用いて素子を作製した．その結果，^Amからの放射線計測において，半値幅が1.5keV程度と高分解能素子の作製に成功し，Inと同等以上の特性が得られることを示した．また，Heプラズマによる表面処理及び硫黄処理を行うことにより，ポラリゼーション現象が大きく改善され，従来3時間程度の連続計測しか行えなかったものが，20時間の連続計測が可能になることを示した．また，Alを電極として用いることにより，In電極の時には難しかった電極分割が可能となり，素子のピクセル化が容易になることを明らかにした．さらに，Tiもショットキー電極として有効であることを示した．本研究で得られたこれらの表面処理及び電極作製技術の成果は，CdTe放射線検出素子の作製プロセスにおいて，基盤的な技術になるものと考えている