Simulation and optimization of layer parameters of unipolaral nBn structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR detection

Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружительной способности Dmax* от состава барьерной области и уровня легирования контактной области. Для оптимизации была использована физико-математическая модель, ранее верифицированная экспериментально через сравнение результатов расчетов с результатами экспериментального исследования вольт-амперных характеристик структур, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН в г. Новосибирске