Add to ORKG酸化亜鉛は資源が豊富、人体に安全、かつ大面積基板への展開が容易なワイドギャップ半導体材料であり、非晶質シリコンに比較して高い電界効果移動度が得られることから電界効果デバイスとして大面積エレクトロニクス応用への期待が高まっている。また、ワイドギャップ半導体である酸化亜鉛にはシリコンでは実現できない可視光透明性という優れた特徴を有しており、透明性を活かした新たな機能デバイスを創出できる。本稿では、酸化亜鉛トランジスタ技術の開発と、次世代情報デバイスであるスーパーハイビジョンに向けた高精細ディスプレイ応用、酸化亜鉛透明トランジスタを信号読出し回路に用いた高精細撮像デバイスに向けた研究開発に関して報告する。Zinc oxide (ZnO) is a safe and abundant wide-gap semiconductor material. Since field effect mobility of ZnO is higher than that of amorphous silicon (a-Si:H), ZnO thin-film transistor (ZnO TFT) for large-area electronics has been expected. Furthermore, transparent ZnO TFT can create novel devices that cannot be achieved by conventional silicon-based technology. In this report, we report on development of ZnO TFTs and its application to the nex...
[[abstract]]摘要 對於薄膜電晶體液晶顯示器，(Thin-Film Transistor Liquid Crystal Display) 產業應用在各尺寸消費性產品成長快速，各廠商...
[[abstract]]有別於標準型的金氧半場效電晶體，功率金氧半場效電晶體兼具高導通電流與高耐壓的特性，在尋求功率應用的要求中，成為了積體電路發展的另一個趨勢。而在元件設計方面，往往一昧的提高崩潰電...
本发明涉及一种银锌电池极耳表面氧化层自动处理设备，包括设备框架及分别安装在该设备框架上的机器人拾取系统、上料架、磨削机构、整平机构、下料架，机器人拾取系统具有三个平移自由度及一个旋转自由度；上料架上设...
[[abstract]]本論文利用原子層沉積法製作氧化鋅薄膜電晶體，探討在低溫電漿輔助原子層沉積之氧化鋅薄膜，經不同方式退火後的電性及物性，並配合奈米壓印技術製作3D類鰭狀氧化鋅薄膜電晶體，討論不同類...
[[abstract]]本?文主題為利用氧化鋅(ZnO)透明半導體薄膜，製作透明薄膜電晶體元件。使用射頻濺鍍，於室溫下改變氧/氬工作氣體比例、電漿功率等參數，沉積非晶質氧化鋅(ZnO)薄膜，並配合不同...
[[abstract]]本論文研究垂直式氧化銦鎵鋅薄膜電晶體，進行理論探討、元件設計、製作與量測。不同於一般垂直結構，設計出多個通道及雙邊閘極結構，改善電晶體效能；使用鉬金屬製作元件各電極，並利用濺鍍...
[[abstract]]本論文分為二大部分，第一部分研究利用射頻濺鍍製作氧化銦鎵鋅薄膜電晶體，藉由改變氧流量、總流量、電漿瓦數等參數進行鍍膜，以改善元件基本特性，第二部分為搭配氧化鋅製作雙主動層薄膜電...
本文研究并制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管.钆铝锌氧薄膜材料的光致发光光谱和透过率说明钆铝锌氧薄膜在透明显示方向的应用潜力.透射电子显微镜揭示了钆铝锌氧薄膜的非晶态微观结构.钆铝锌氧...
[[abstract]]本論文研究利用射頻濺鍍製作銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體，在重?雜矽基版上以熱氧化方式成長二氧化矽當介電層，並以濺鍍方式沉積銦鎵鋅氧化物薄膜當主動層，沉積主動層後，分別使用鈦鋁與鉬鋁做...
Ta2Nを用いた陽極酸化膜キャパシタは，耐熱性の向上を図れるが比誘電率の低下を伴うので，このことを回避するため，Ta－Zr合金の陽極酸化膜キャパシタを作製し，その電気的特性に及ぼす熱処理温度の影響と，...
静电雾化是利用外加高压电场拉伸溶液，使其流变形成泰勒锥并在尖端产生射流；在内部电荷排斥力的作用下，带电射流在空间破碎成微小液滴。静电雾化以其操作简便、材料兼容性好、颗粒分散性好等优点，在微纳系统制造、...
氧化物半導體由於可在低溫製作並成長高品質薄膜，近年來已受到相當的矚目並且迅速的發展。憑藉這些優點且可適用在各式基板上的特性，已被視為下一世代的顯示及軟性電子產品之關鍵材料。雖然n型氧化物半導體上的研究...
학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2012. 2. 박병우.투명하고 높은 전기 전도성을 가지는 Ga-doped ZnO 박막의 구조적, 광학적, 그리고 전자적 특...
Si衬底上生长宽禁带II-IV族半导体材料对推进短波光电集成技术的发展有重要的意义。ZnS与Si在晶格常数上具有良好的匹配性，在Si衬底上生长ZnS薄膜成为研究的热点。 本文从发光材料的配制、球磨、烧...
Секция 5. Влияние излучений на структуру и свойства покрытийПроведены исследования тонких пленок, ос...
[[abstract]]摘要 對於薄膜電晶體液晶顯示器，(Thin-Film Transistor Liquid Crystal Display) 產業應用在各尺寸消費性產品成長快速，各廠商...
[[abstract]]有別於標準型的金氧半場效電晶體，功率金氧半場效電晶體兼具高導通電流與高耐壓的特性，在尋求功率應用的要求中，成為了積體電路發展的另一個趨勢。而在元件設計方面，往往一昧的提高崩潰電...
本发明涉及一种银锌电池极耳表面氧化层自动处理设备，包括设备框架及分别安装在该设备框架上的机器人拾取系统、上料架、磨削机构、整平机构、下料架，机器人拾取系统具有三个平移自由度及一个旋转自由度；上料架上设...
[[abstract]]本論文利用原子層沉積法製作氧化鋅薄膜電晶體，探討在低溫電漿輔助原子層沉積之氧化鋅薄膜，經不同方式退火後的電性及物性，並配合奈米壓印技術製作3D類鰭狀氧化鋅薄膜電晶體，討論不同類...
[[abstract]]本?文主題為利用氧化鋅(ZnO)透明半導體薄膜，製作透明薄膜電晶體元件。使用射頻濺鍍，於室溫下改變氧/氬工作氣體比例、電漿功率等參數，沉積非晶質氧化鋅(ZnO)薄膜，並配合不同...
[[abstract]]本論文研究垂直式氧化銦鎵鋅薄膜電晶體，進行理論探討、元件設計、製作與量測。不同於一般垂直結構，設計出多個通道及雙邊閘極結構，改善電晶體效能；使用鉬金屬製作元件各電極，並利用濺鍍...
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本文研究并制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管.钆铝锌氧薄膜材料的光致发光光谱和透过率说明钆铝锌氧薄膜在透明显示方向的应用潜力.透射电子显微镜揭示了钆铝锌氧薄膜的非晶态微观结构.钆铝锌氧...
[[abstract]]本論文研究利用射頻濺鍍製作銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體，在重?雜矽基版上以熱氧化方式成長二氧化矽當介電層，並以濺鍍方式沉積銦鎵鋅氧化物薄膜當主動層，沉積主動層後，分別使用鈦鋁與鉬鋁做...
Ta2Nを用いた陽極酸化膜キャパシタは，耐熱性の向上を図れるが比誘電率の低下を伴うので，このことを回避するため，Ta－Zr合金の陽極酸化膜キャパシタを作製し，その電気的特性に及ぼす熱処理温度の影響と，...
静电雾化是利用外加高压电场拉伸溶液，使其流变形成泰勒锥并在尖端产生射流；在内部电荷排斥力的作用下，带电射流在空间破碎成微小液滴。静电雾化以其操作简便、材料兼容性好、颗粒分散性好等优点，在微纳系统制造、...
氧化物半導體由於可在低溫製作並成長高品質薄膜，近年來已受到相當的矚目並且迅速的發展。憑藉這些優點且可適用在各式基板上的特性，已被視為下一世代的顯示及軟性電子產品之關鍵材料。雖然n型氧化物半導體上的研究...
학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2012. 2. 박병우.투명하고 높은 전기 전도성을 가지는 Ga-doped ZnO 박막의 구조적, 광학적, 그리고 전자적 특...
Si衬底上生长宽禁带II-IV族半导体材料对推进短波光电集成技术的发展有重要的意义。ZnS与Si在晶格常数上具有良好的匹配性，在Si衬底上生长ZnS薄膜成为研究的热点。 本文从发光材料的配制、球磨、烧...
Секция 5. Влияние излучений на структуру и свойства покрытийПроведены исследования тонких пленок, ос...
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[[abstract]]有別於標準型的金氧半場效電晶體，功率金氧半場效電晶體兼具高導通電流與高耐壓的特性，在尋求功率應用的要求中，成為了積體電路發展的另一個趨勢。而在元件設計方面，往往一昧的提高崩潰電...
本发明涉及一种银锌电池极耳表面氧化层自动处理设备，包括设备框架及分别安装在该设备框架上的机器人拾取系统、上料架、磨削机构、整平机构、下料架，机器人拾取系统具有三个平移自由度及一个旋转自由度；上料架上设...